鄢俊兵
- 作品数：16 被引量：13H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析
- 2011年
- 文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟。模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元。
- 孙巾杰缪向水程晓敏鄢俊兵
- 关键词：相变随机存储器有限元分析
- 单轴磁晶各向异性薄膜转矩曲线分析
- 2008年
- 根据单轴磁晶各向异性常数的测量原理,在有限外磁场作用下和各向异性常数的取向不在法线上的原因,从理论上分析计算模型的误差,讨论校正转矩曲线的方法,并选择TbFeCo薄膜作为测量对象,应用该方法校正其转矩曲线。结果表明,这种校正方法可以减小单轴磁晶各向异性常数的计算误差。
- 李震鄢俊兵程伟明王鲜然
- 关键词：FFT
- NiFe纳米线磁化反转机制的微磁模拟
- 2008年
- 通过微磁模拟手段研究了不同形状参量的坡莫合金纳米线的反磁化机制。研究结果表明:不同颗粒尺寸时,磁化反转过程中不同阶段磁体的磁矩分布情况不一样,但整个磁化反转过程为多畴反转的过程。同时,矫顽力随着纳米线长径比的增大而减小,相同长径比下,颗粒直径大的纳米线矫顽力大,这主要与磁化反转机理有关。在磁化反转中,形状各向异性占有绝对的主导地位。
- 董凯锋杨晓非鄢俊兵晋芳程伟明程晓敏
- 关键词：矫顽力
- [Fe/Pt]_n多层膜中膜层结构对磁性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe/Pt]n多层膜,经不同温度真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果表明,[Fe/Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度,550℃退火30min后其平行膜面矫顽力可达320.3kA/m;多层膜结构中,Pt层厚度与Fe层厚度相同时,矫顽力最大;Pt层和Fe层厚度相等且总厚度相同的情况下,Fe、Pt单层厚度越薄,有序化温度越低,且对应的矫顽力越大。
- 董凯锋杨晓非鄢俊兵程伟明程晓敏
- 关键词：矫顽力
- 非对称结构相变存储单元制备及性能研究
- 2011年
- 采用光刻、溅射以及剥离等微纳制备及加工工艺,实现了非对称结构相变存储单元的制备,并对该非对称相变存储单元进行了直流及脉冲电流写入电特性测试,测试结果表明,该非对称相变存储单元可实现非晶态与晶态之间的可逆相变,且脉冲电流写入的特性稳定。当写脉冲宽度分别为20ns、30ns、40ns时,最小写电流分别为1.45mA、1.38mA和1.25mA。写入脉冲宽度一定时,施加的写入脉冲电流越大,写入操作后相变单元相变层非晶化程度越高。
- 鄢俊兵温学鑫程晓敏缪向水
- 关键词：相变存储器
- 不同退火时间对[Ag／FePt]10多层膜磁性能和微结构的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜。实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了。
- 董凯锋程晓敏鄢俊兵程伟明缪向水许小红王芳杨晓非
- 关键词：矫顽力退火时间
- 磁记录介质晶粒磁相互作用参数ΔM及其测量方法被引量：2
- 2008年
- 对于磁记录介质,记录噪声与晶粒间磁相互作用相关。ΔM是表征磁记录介质晶粒间磁相互作用的重要参数。首先介绍了它的理论依据和意义,接着阐述了通过振动样品磁强计测量样品的等温剩磁(IRM)和直流退磁剩磁(DCD)曲线,经过对测量数据的处理和计算获得ΔM曲线的方法和步骤,讨论了影响ΔM测量的相关问题。最后应用该方法测量了两种TbFeCo薄膜样品的ΔM曲线,定性比较分析了薄膜晶粒间磁相互作用的大小和类型。
- 李震鄢俊兵程伟明
- 关键词：磁记录介质
- AFM探针热磁写入中薄膜温度场的有限元模拟
- 2008年
- 针对光磁混合记录中微区热磁写入方式,提出利用原子力显微镜(AFM)内的显微探针将激光热源导入磁性薄膜,并采用有限元方法对TbFeCo磁性薄膜温度场进行模拟。模拟结果表明:磁性薄膜中,高于居里温度的区域范围与原子力探针针尖直径、薄膜厚度、激光能量之间存在紧密的关系。高于居里温度的区域范围随针尖直径呈线性增大,随薄膜厚度的增高而减小,在薄膜厚度超过15nm后趋于稳定。
- 鄢俊兵李佐宜晋芳董凯锋林更琪
- 关键词：磁性薄膜有限元温度场
- 阳极氧化铝底层对SmTbCo薄膜磁性能与结构影响的研究被引量：2
- 2009年
- 采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大.由薄膜断面的扫描电镜(SEM)照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构.这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用.
- 晋芳李佐宜鄢俊兵林更琪
- 关键词：多孔阳极氧化铝
- Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究
- 2007年
- 采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜。振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m。薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构。这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高。
- 晋芳李佐宜程伟明鄢俊兵林更琪谢长生
- 关键词：矫顽力
