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钟永强

作品数:25 被引量:27H指数:4
供职机构:中国工程物理研究院更多>>
发文基金:中国工程物理研究院基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信金属学及工艺核科学技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇理学
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇
  • 5篇氮化
  • 5篇电子能
  • 5篇电子能谱
  • 5篇光电子能谱
  • 4篇等离子
  • 4篇XPS
  • 4篇XPS研究
  • 4篇X射线
  • 4篇ZNTE
  • 3篇等离子氮化
  • 3篇等离子体
  • 3篇端口
  • 3篇离子
  • 3篇离子氮化
  • 3篇离子源
  • 3篇连接管
  • 3篇光源
  • 3篇法兰
  • 3篇法兰盘

机构

  • 21篇中国工程物理...
  • 4篇四川大学
  • 4篇表面物理与化...

作者

  • 25篇钟永强
  • 13篇伏晓国
  • 11篇赵正平
  • 8篇刘柯钊
  • 5篇白彬
  • 5篇张冬旭
  • 4篇肖红
  • 4篇汪小琳
  • 4篇李芳芳
  • 3篇张静全
  • 3篇陆雷
  • 3篇王庆富
  • 3篇赖新春
  • 3篇蔡亚平
  • 3篇雷智
  • 3篇郑家贵
  • 3篇黎兵
  • 3篇冯良桓
  • 3篇武莉莉
  • 3篇蔡伟

传媒

  • 3篇原子能科学技...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇物理学报
  • 1篇理化检验(物...
  • 1篇化学学报
  • 1篇核化学与放射...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇真空
  • 1篇中国核学会核...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2007
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2002
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铀表面脉冲辉光等离子氮化初步研究被引量:1
2012年
采用脉冲辉光等离子体离子氮化技术对贫铀表面进行了氮化处理,采用俄歇电子能谱(AES)对氮化层进行元素深度剖析,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对氮化层组织结构进行了分析表征。结果表明:脉冲偏压-900 V,工作氮分压50 Pa、100 Pa,氮化时间2.5 h^4 h下在贫铀表面能获得约20μm厚的氮化层,氮化层为U2N3的单一立方结构且均匀致密,脉冲辉光等离子氮化技术能在贫铀表面实现氮化。
王小红陈林龙重钟永强
关键词:离子氮化
UC表层的X射线光电子能谱研究被引量:1
2005年
采用X 射线光电子能谱(XPS)分析研究了烧结UC(包括钚的碳化物)样品的表面层结构。分析结果表明,经大气氧化的UC 表层由表及里大致组成为:少量UO2+ →UO2与UC 的混合物及少量自由碳→UC 基体。UC 的U4f7/2 x峰和C1s 峰结合能分别为378.2 eV 和282 eV。定量分析表明,UC 清洁表面的C/U 原子比约为1?1,这与UC 的化学组成一致,但此时仍能探测到少量固溶氧存在。初步探讨了UC 在大气环境中的氧化机理。
伏晓国钟永强汪小琳刘柯钊赖新春赵正平
关键词:UCXPS
一种端口对准器
本实用新型公开了一种端口对准器,目的在于解决现有的端口对准装置通常结构较为复杂、操作不便、生产成本较高的问题。该端口对准器包括第一连接管、第二连接管、波纹连接管、第一法兰盘、第二法兰盘、连接调整件,所述第一法兰盘、第一连...
伏晓国钟永强张冬旭赵正平
铀表面状态的变角度XPS研究
本文采用变角度XPS(X射线光电子谱)技术研究了贫铀的初期氧化过程,获取了金属态贫铀表面U4f和O1s谱峰以及价带的XPS谱.研究结果表明:变角度技术对金属铀表面初期的氧化过程揭示得更为详细,而且,金属铀表面外围电子只有...
赖新春伏晓国李赣钟永强
关键词:贫铀X射线光电子谱电子状态
文献传递
一种微帕量级水汽发生器及其应用
本发明公开了一种微帕量级水汽发生器及其应用,目的在于解决现有技术进行水汽反应时,采用载气带水产生水汽的方式,其需要的水量在几克以上的数量级,当进行超高真空环境下(低于10<Sup>‑4</Sup>Pa)微量水汽反应时,难...
伏晓国娄元付赵正平张冬旭钟永强董豪鹏
文献传递
一种端口对准器
本发明公开了一种端口对准器,目的在于解决现有的端口对准装置通常结构较为复杂、操作不便、生产成本较高的问题。该端口对准器包括第一连接管、第二连接管、波纹连接管、第一法兰盘、第二法兰盘、连接调整件,所述第一法兰盘、第一连接管...
伏晓国钟永强张冬旭赵正平
文献传递
沉积条件对ZnTe与ZnTe:Cu薄膜性能的影响
制备高效的CdTe太阳电池,改善电池的背接触特性是一关键技术。在I-V曲线上可以看到所谓的roll-over现象,这主要是p型CdTe与背电极间形成了反向结。背接触层中掺Cu能够得到性能良好的电池,但是Cu会在CdTe中...
钟永强
关键词:太阳能电池光电子能谱
文献传递
铍薄膜的射频制备技术及性能研究
陆雷肖红李芳芳钟永强白彬
ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究被引量:4
2007年
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。
钟永强郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉
关键词:光电子能谱退火
金属铀与CO原位反应的X射线光电子能谱研究被引量:6
2002年
采用X射线光电子能谱 (XPS)分析研究了多晶贫铀的清洁表面在 2 98K时与CO的原位反应过程。初始反应各阶段U4f,O1s和C1s芯能级谱的变化和定量分析表明 ,CO在金属铀表面吸附解离 ,解离出的原子氧和原子碳分别与金属铀形成氧化物和碳化物 ,碳原子比氧原子向基体扩散得更深。实验过程中未发现CO分子吸附在金属铀表面的证据。
伏晓国汪小琳刘柯钊邹觉生钟永强赵正平
关键词:
共3页<123>
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