您的位置： 专家智库 > >

问峰

作品数：40 被引量：1H指数：1
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 31篇金刚石
  • 31篇刚石
  • 22篇单晶金刚石
  • 13篇晶体管
  • 13篇场效应
  • 13篇场效应晶体管
  • 10篇欧姆接触
  • 8篇势垒
  • 8篇欧姆接触电极
  • 8篇接触电极
  • 7篇探测器
  • 6篇电极
  • 6篇透镜
  • 6篇肖特基
  • 6篇金刚石表面
  • 6篇沟道
  • 6篇高导电
  • 5篇透镜阵列
  • 4篇电阻
  • 4篇碳化

机构

  • 40篇西安交通大学
  • 1篇阿肯色大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇广东省公安消...

作者

  • 40篇问峰
  • 39篇王宏兴
  • 36篇王玮
  • 22篇张明辉
  • 21篇卜忍安
  • 20篇侯洵
  • 16篇赵丹
  • 8篇李奇
  • 8篇王娟
  • 8篇朱天飞
  • 7篇张景文
  • 2篇冯永昌
  • 1篇楼兰
  • 1篇张彦鹏
  • 1篇肖敏
  • 1篇贺嘉楠
  • 1篇秦勐哲
  • 1篇王若铮

传媒

  • 1篇物理学进展

年份

  • 4篇2023
  • 6篇2021
  • 8篇2020
  • 11篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2013
共 40 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED
本实用新型公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属...
王宏兴刘璋成赵丹张明辉王玮问峰卜忍安侯洵
文献传递
(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法
本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
文献传递
一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法
本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用...
朱天飞梁言刘璋成王艳丰邵国庆何适问峰王宏兴
文献传递
氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法，在金刚石衬底1上生长出氢终端金刚石外延薄膜2，在氢终端金刚石外延薄膜2上制备出源极3和漏极4，沉积介质层5覆盖所有结构，对介质层5图形化处理，保留源极3、漏...
王宏兴王艳丰常晓慧王玮问峰王若铮侯洵
文献传递
一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法
本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的Al<...
王玮王宏兴问峰张明辉林芳陈根强
文献传递
一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED
本实用新型公开了一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，所述单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，所...
王宏兴刘璋成赵丹张明辉王玮问峰卜忍安侯洵
文献传递
低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电...
王玮王宏兴张明辉林芳问峰王艳丰陈根强卜忍安
文献传递
一种金刚石场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域...
王玮梁月松牛田林熊义承陈根强冯永昌方培杨王艳丰林芳张明辉问峰卜忍安王宏兴侯洵
一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法
本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终...
王宏兴赵丹邵国庆刘璋成朱天飞张明辉王艳丰王玮问峰卜忍安侯洵
文献传递
一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法
本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的Al<...
王玮王宏兴问峰张明辉林芳陈根强
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0