陈一仁
- 作品数：78 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Sc，Gd和Lu-配合物的有机电致发光及光伏特性研究被引量：1
- 2008年
- 研究了稀土(RE)配合物(RE=Sc、Gd或Lu)(RE-配合物中的RE离子为三价离子)的有机二极管,在电驱动和紫外光照射下分别表现出电致发光(EL)和光伏(PV)特性。作为EL二极管时,m-MT-DATA(4,4′,4-″tris[3-methyl-pheny(phenyl)-amino]triphenyl-amine)和稀土配合物分别用作空穴和电子传输材料,EL发射仅仅来自m-MTDATA和稀土配合物层间界面激基复合物,当配合物的中心金属分别为Sc、Gd或Lu时,EL发射峰分别为656、607~590nm。作为PV二极管时,m-MTDATA和稀土配合物分别作为电子给体(D)和受体(A),它们的开路电压(Voc)分别为1.17、1.65和1.92V。还讨论了EL和PV特性与配合物中中心稀土离子的核电荷数关系。
- 王丹李文连初蓓苏子生李天乐苏文明朱健卓毕德峰陈一仁杨栋芳张东煜颜飞
- 关键词：有机电致发光光伏
- 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法
- 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法，涉及真空镀精细图形镀膜的过程中的掩膜漏板的加工领域，它解决了现有采用化学腐蚀的方法制备金属掩板尺寸误差大，并且在加工过程中金属掩膜漏板容易发生侧腐的问题，本发明方法为：首先选择铁铬合金...
- 李志明孙晓娟宋航黎大兵陈一仁缪国庆蒋红
- 文献传递
- 一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法
- 本发明涉及一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法，属于半导体技术领域。本发明的液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法通过液态石墨烯滴定或者旋涂的方式实现将石墨烯应用于GaN基光电子和微电子器件，石墨烯既可以作为G...
- 孙晓娟黎大兵贾玉萍刘贺男宋航李志明陈一仁缪国庆蒋红张志伟
- 文献传递
- 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性被引量：1
- 2010年
- 通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞。PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果。
- 竹敏宋航蒋红缪国庆黎大兵李志明孙晓娟陈一仁
- 关键词：PL谱
- 增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法
- 本发明公开了一种增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，属于半导体技术领域，解决了现有AlGaN基深紫外探测器响应度低的技术问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)生长AlGaN基深紫外探测器材料；(2)在AlGaN基深...
- 黎大兵孙晓娟宋航蒋红李志明陈一仁缪国庆
- 文献传递
- 一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法
- 本发明提供了一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法，通过首先在待测的III族氮化物半导体材料上生长纳米材料，得到螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料；然后通过扫描电子显微镜对步骤1)得到的螺位错处生长纳米...
- 陈一仁宋航黎大兵缪国庆蒋红李志明孙晓娟张志伟
- 文献传递
- 一种氮化物半导体材料的外延生长方法
- 本发明提供了一种氮化物半导体材料的外延生长方法，包括：S1)在异质衬底上外延生长第一层氮化物半导体材料；S2)在第一层氮化物半导体材料上进行无掩膜湿法刻蚀，得到位错缺陷处形成微坑的第一层氮化物半导体材料，且微坑处裸漏出异...
- 陈一仁周星宇张志伟宋航缪国庆蒋红李志明
- 文献传递
- 一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器，从衬底向外依次包括缓冲层、超晶格层、窗口层、集电极、基极及发射极，所述基极为多周期p‑AlGaN/Mg‑δ层组成的基极；所述多周期p‑AlGaN/Mg‑δ层为p‑Al...
- 陈一仁宋航张志伟缪国庆蒋红李志明
- 文献传递
- 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法
- 一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，涉及场发射显示器件领域，它解决了现有制作场发射阳极屏时存在ITO电极条局部区域绝缘性低而产生干扰亮点，并且ITO层和衬底玻璃表面的视觉反差小，造成ITO条图形不清楚的问题，将ITO玻...
- 李志明孙晓娟宋航黎大兵陈一仁缪国庆蒋红
- 宽探测波段的InGaAs红外探测器研究
- 短波红外1.0-2.6μm探测在军用、民用、航空航天等研究领域具有十分重要的意义。目前在InGaAs红外探测器结构设计中,特别是半导体光伏型红外探测器中,都采用p-i-n结构,分别盖层是p型InAsP,吸收层即i层是不同...
- 缪国庆宋航蒋红黎大兵孙晓娟陈一仁李志明
