陈丽容
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- CH<,3>CSNH<,2>钝化处理GaP表面的XPS分析
- 林秀华江炳熙徐富春陈丽容
- 关键词：钝化处理GAPXPS分析
- 光谱曲线拟合程序的开发与运行的技巧被引量：1
- 2001年
- 针对固体中杂质发光光谱的特殊问题 ,以FORTRAN 77语言编写了多套曲线拟合程序 ,可分别适用于光滑型 ,散粒噪音叠加型及混合型光谱曲线的分解。并介绍了正确使用程序的技巧。对如何获得正确、可靠的拟合结果进行了讨论。
- 林秀华江炳熙谢素原陈丽容
- 关键词：发光光谱程序开发
- LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管被引量：1
- 1995年
- 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。
- 刘宝林黄美纯陈朝陈丽容陈龙海杨树人陈伯军王本忠范爱英李正庭刘式墉
- 关键词：半导体器件半导体工艺光电二极管
- GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究
- 2002年
- 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm .
- 陈小红陈松岩张玉清林爱清陈丽容邓彩玲
- 关键词：MESFET器件光致发光谱RAMAN谱金属-半导体场效应晶体管
