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陈丽白

作品数:5 被引量:27H指数:3
供职机构:华侨大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:福建省自然科学基金福建省泉州市科技计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇晶体
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇发光
  • 1篇氧化锌
  • 1篇一维光子晶体
  • 1篇势阱
  • 1篇缺陷模
  • 1篇瓦级
  • 1篇微腔
  • 1篇稳定性
  • 1篇无限深势阱
  • 1篇显示器
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇均匀性
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇蓝移
  • 1篇功率

机构

  • 5篇华侨大学

作者

  • 5篇郭震宁
  • 5篇陈丽白
  • 4篇林介本
  • 1篇杨小儒

传媒

  • 2篇光学学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇发光学报
  • 1篇现代显示

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
(nc-Si/SiO_2)/SiO_2多层量子点结构的激子能级被引量:2
2009年
采用球型量子点模型,应用有效质量近似理论,研究了(nc-Si/SiO_2)/SiO_2多层量子点结构的激子能级和波函数。结果表明,有限深势阱模型的引入更符合实际更加准确。无论在无限深或有限深势阱下,激子质心运动部分基态能量随量子点半径的减小而急剧增大。对于相同的量子点半径a,无限深势阱下的质心部分能量总比有限深势阱高,且二者的差距随a的减小而增大。
陈丽白郭震宁杨小儒
关键词:硅量子点无限深势阱
光子晶体发光二极管的研究进展被引量:4
2008年
光子晶体是上世纪80年代末提出的一种新型功能材料,它独特的性能可以大大提高发光二极管的光提取效率,使其拥有更广阔的应用前景。概述了光子晶体的特性,阐述了光子晶体发光二极管的基本原理,介绍了几种光子晶体发光二极管器件。
陈丽白郭震宁林介本
关键词:光子晶体发光二极管光子带隙光提取效率
氧化锌场发射性能的研究进展被引量:1
2008年
简述了以场致发射显示器(FED)为代表的平板显示技术的发展现状与趋势,重点介绍了氧化锌一维纳米材料作为场发射阴极的场发射性能与研究现状,指出了具有应用前景的氧化锌一维纳米结构所需要解决的难题。
林介本郭震宁陈丽白
关键词:场致发射显示器氧化锌均匀性稳定性
一维光子晶体微腔在硅基材料发光中的应用研究被引量:8
2008年
硅基材料的高效发光对未来硅基光电子集成的发展极其关键,含微腔的一维光子晶体可以显著提高其发光强度、窄化其发光峰。介绍了几种硅基材料发光的一维光子晶体微腔结构,包括单缺陷模式的对称与非对称结构、多缺陷模结构及电注入结构。利用传输矩阵法计算其缺陷模透射谱,以间接分析其发光谱。
陈丽白郭震宁林介本
关键词:光子晶体一维光子晶体硅基发光微腔缺陷模
瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性被引量:12
2009年
封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明,光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降。当IF从50mA一直增大到450mA左右时,发射光谱的峰值波长λp随IF的增加发生蓝移,蓝移现象可能与InGaN蓝光LED芯片在较大电流时能带被拉平以及In成分的作用有关。当IF大于500mA或800mA后,λp又发生红移,红移现象可能与大电流注入下InGaN蓝光LED芯片产生的热效应以及电子-空穴对辐射复合有关。此外,光谱的半峰全宽(FWHM)产生宽化现象,色坐标x和y值也发生变化。
林介本郭震宁陈丽白吴利兴阮源山林瑞梅
关键词:大功率蓝移红移
共1页<1>
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