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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇子结构
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇空位缺陷
  • 1篇光性质
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性质
  • 1篇CU
  • 1篇LI
  • 1篇掺杂
  • 1篇ZNO薄膜
  • 1篇ZNS

机构

  • 2篇扬州大学

作者

  • 2篇曾祥华
  • 2篇陈宝
  • 1篇施志明
  • 1篇孟祥东
  • 1篇李建华
  • 1篇范玉佩
  • 1篇季正华
  • 1篇陈小兵
  • 1篇胡益培

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
(Li,Cu)掺杂ZnO薄膜的发光性质被引量:3
2011年
利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在n型Si(100)衬底上制备(Li,Cu)掺杂ZnO薄膜,研究了室温下薄膜的结构、形貌和光致发光性能。研究结果表明,随着Li掺杂浓度的增加,可见光发光强度增加,可见光发射可能是源于单电离氧空位到价带顶以及单电离氧空位到Li替位Zn(LiZn)受主跃迁的双重作用。与此类似,Cu掺杂ZnO薄膜黄绿光部分可能是源于单电离氧空位到价带顶以及单电离氧空位到Cu替位Zn(CuZn)受主跃迁的双重作用。随着Cu掺杂量的增加,单电离氧空位到Cu替位Zn(CuZn)受主的跃迁起主导作用。
陈宝孟祥东施志明曾祥华陈小兵
关键词:ZNO薄膜光致发光
ZnS掺Ag与Zn空位缺陷的电子结构和光学性质被引量:16
2011年
本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理.计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明在Ag掺杂与Zn空位ZnS体系中,由于缺陷能级的引入,禁带宽度有所减小,在可见光区电子跃迁明显增强.
李建华曾祥华季正华胡益培陈宝范玉佩
关键词:硫化锌电子结构光学性质
共1页<1>
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