陈永
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
- 供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
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- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 发光二极管中负电容现象的实验研究被引量：9
- 2006年
- 对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。
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- 发光二极管中负电容现象的机理被引量：9
- 2006年
- 为解释发光二极管(LEDs)中的负电容(NC)现象,提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型,首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式。理论结果表明,在一定的范围内激活区载流子复合速率越大,LEDs中的NC效应越显著,这与实验结果完全一致。它表明,LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的,而非外部原因造成。
- 冯列峰朱传云陈永曾志斌王存达
- 发光二极管中负电容的测试及判定被引量：5
- 2005年
- 利用正向交流(a.c.)小信号方法对发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了发光二极管中的负电容现象,并且测试频率越低、正向偏压越高,负电容现象越明显,给出了证实负电容确实存在的判定性试验.
- 陈永冯列峰朱传云王存达
- 关键词：发光二极管负电容电容-电压特性小信号
- 半导体发光二极管负电容的实验研究
- 半导体二极管作为最基本也是最重要的半导体器件，其应用之广泛不言而喻，所以对其电特性的研究一直以来都是一个颇具价值的课题，通过大量的实验研究和理论分析，我们对半导体发光二极管中的负电容现象有了较为深入的认识。下面是我们的主...
- 陈永
- 关键词：发光二极管负电容
- 文献传递
