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陈琛

作品数:4 被引量:26H指数:3
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划浙江省分析测试基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇透明导电
  • 3篇P型
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻-温度特...
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇透明导电膜
  • 1篇喷雾热解
  • 1篇喷雾热解法
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏传感器
  • 1篇子类型
  • 1篇铟锡氧化物
  • 1篇温度特性
  • 1篇吸收谱
  • 1篇二氧化锡薄膜
  • 1篇感器

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇赵丽娜
  • 4篇季振国
  • 4篇陈琛
  • 4篇周强
  • 2篇王超
  • 1篇杜娟
  • 1篇何作鹏
  • 1篇孙兰侠

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜被引量:14
2006年
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06-0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过 0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
季振国赵丽娜何作鹏陈琛周强
关键词:铟锡氧化物透明导电薄膜喷雾热解
二氧化锡薄膜气敏传感器对常见室内污染气体的电阻-温度特性及机理分析被引量:6
2005年
采用无机试剂 (SnCl2 ·2H2 O)为原料 ,用溶胶 凝胶提拉法制备了二氧化锡薄膜及相应的气敏传感器 ,并研究了二氧化锡薄膜气敏传感器在常见室内污染气体气氛中的电阻 - 温度变化关系。结果发现不同气氛下电阻 温度特性各不相同 ,由此可以获得被测气体的相关信息。本文还用分子轨道计算软件对四种室内污染气体的分子轨道进行了计算 ,并根据分子轨道能级的相对位置定性解释了二氧化锡薄膜气敏传感器在不同气氛中的电阻 温度曲线。通过对甲醛、苯、甲苯、二甲苯四种气体电阻 温度曲线的测试可以确定被测气体的种类。
孙兰侠季振国杜娟周强陈琛赵丽娜
关键词:二氧化锡薄膜气敏传感器溶胶-凝胶法
p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征被引量:4
2005年
本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8eV。霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关。热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度。当热氧化温度处于(600~700)℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018cm-3。
季振国陈琛王超周强赵丽娜
关键词:透明导电氧化物薄膜P型吸收谱子类型
Cu/Al比对p型透明导电铜铝氧薄膜性能的影响被引量:2
2005年
采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应,在石英玻璃衬底上沉积了Cu/Al原子比不同的P型透明导电铜铝氧化物。XRD分析结果表明,样品的成分中包含黑铜矿结构的CuO、铜铁矿结构的CuAlO2、尖晶石结构的CuAl2O4和刚玉结构的Al2O3;X光能谱(EDAX)测试结果表明,样品中的Cu/Al比例随原料中Cu/Al比的增加而增加;导电类型测试表明,利用本方法制备的样品均是P型;电阻率测试表明,当Cu/Al原子比在1.0~1.5变化时试样的电阻率较低,而且电阻率变化不大。
周强季振国赵丽娜陈琛王超
关键词:透明导电膜沉淀法
共1页<1>
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