韩奎
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AlXGa1-zN/GaN异质结构中二维电子气的塞曼自旋分裂
- 本文通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰...
- 唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义
- 关键词：二维电子气
- 文献传递
- 光照对AlzGal-zN／GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌
- @@引言： AlXGa1-xN／GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋...
- 周文政沈波唐宁韩奎郭少令桂永胜林铁商丽燕高矿红周远明魏来明俞国林褚君浩
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- Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质
- 2009年
- Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯拍频振荡和弱反局域效应,回顾了AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG自旋性质的研究进展。AlxGa1-xN/GaN异质结构材料中有很强的极化电场,诱导产生很高浓度的2DEG,能够产生相当大能量的自旋分裂,并且这种自旋分裂可以被栅压所调控,因此在自旋场效应晶体管方面有很好的应用前景。然而要实现GaN基自旋电子学器件的应用,GaN中自旋注入效率是目前所面临的问题。
- 唐宁沈波韩奎
- 关键词：二维电子气自旋磁输运
- AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变
- ＜正＞通过低温下的磁输运测量研究了 AlxGa1-xN/GaN 异质结构中二维电子气（2DEG）的电子-电子相互作用。我们测量了不同温度下异质结构纵向电阻率随磁场的变化曲线,观察到了明显的负磁阻（NMR）
- 韩奎沈波唐宁秦志新杨志坚张国义林铁朱博周文政褚君浩
- 关键词：2DEG磁致电阻率电子-电子相互作用
- 文献传递
- Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
- 2008年
- 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。
- 唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义
- 关键词：二维电子气自旋
- Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂
- 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al_(0.24)Ga_(0.76)N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡...
- 唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义
- 文献传递
- GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结二维电子气的磁电阻研究
- 2012年
- 通过对GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因.结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率,并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.
- 王威周文政韦尚江李小娟常志刚林铁商丽燕韩奎段俊熙唐宁沈波褚君浩
- 关键词：二维电子气磁电阻电子相互作用
