马利行
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术
- 本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.
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- 关键词：硅材料外延层
- 文献传递
- N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
- 1997年
- 研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
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- 关键词：硅外延高阻厚层自掺杂
- 4英寸重掺砷衬底N型高阻薄层硅外延片
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- 该项目产品是肖特基二极管、微波功率晶体管等许多器件的关键原材料，而这些器件的制作对外延材料都有较为特殊的要求，如外延层电阻率、厚度控制精确，外延层与衬底过渡区要尽可能小，外延层晶格完整性好等等。
- 关键词：
- 关键词：硅外延片
- 一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制
- 本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的改进,使得漂移区宽度以及P区和N区的掺杂浓...
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- 关键词：毫米波IMPATT二极管
- 文献传递
- 4英寸P/P+硅外延片批量生产工艺技术
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- 该攻关项目所计划的任务，并在成果转化中得到良好的社会经济效益，不但减注了与国际水平的差距，也充分说明科技攻关项目对促进部属院所科技成果转化为生产力起着关键的作用。提升器件生产技术档次，向国际水平靠拢，扩大生产规模，走规模...
- 关键词：
- 减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法
- 1995年
- 叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质量明显优于单纯减压外延的结果。
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- 关键词：自掺杂硅
- 新型电力电子器件用硅外延片
- 谭卫东金龙骆红马林宝马利行施国政邓雪华杨帆赵建君孙健齐步坤马翔潘文宾葛华陶骞
- 1)、主要科学技术内容：该项目主要的研究内容为新型电力电子器件用硅外延片产业化，主要包括：完成了VDMOSFET、SIT的N/N+高阻厚层以及IGBT的N/N+/P++反型多层硅外延结构的研究、高阻厚层硅外延均匀生长控制...
- 关键词：
- 关键词：硅外延片电力电子器件芯片
- 4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制
- 本文讨论了影响P/P<'+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英...
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- 关键词：硅外延片电阻率
- 文献传递
