高愈尊
- 作品数：22 被引量：32H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信理学更多>>
- 硅单晶中位错电镜衍衬像的计算机模拟
- 1990年
- 本文用电子计算机模拟了硅单晶中位错的电镜衍衬像。计算模拟像与集成电路硅材料中出现的位错的电子显微镜实验像符合较好。用计算像的方法准确地确定了位错的特性。文中还对改变试样厚度、衍射偏离参量以及吸收系数等不同条件下的位错像作了计算模拟。
- 尚平高愈尊李永洪
- 关键词：硅单晶位错计算机
- 靶温对Ti注入H13钢表面强化机制的研究被引量：3
- 1991年
- 给出了不同靶温下的Ti注入H13钢的抗磨损特性,并研究了不同靶温对强化机理的影响。注入时靶温为液氮冷却、150和400℃,注入能量和注量分别为180keV和3×10^(17)cm^(-2)。不同靶温下注入后,样品表面硬度不同。但均比未注入样品硬度有明显提高。抗磨损能力也有提高,从液氮靶温注入的1.75倍,150℃靶温的7.7倍到400℃靶温的11.2倍。硬度和抗磨损能力的提高程度取决于不同靶温下注入H13钢表面强化机理的差异。低温注入以位错强化和超过饱和强化为主,150和400℃注入TiC,Fe_2Ti等析出相明显增多,它们以析出相的弥散质点强化为主。
- 陈俊张通和姬成周沈京华杨建华孙贵如高愈尊
- 关键词：离子注入H13钢钛温度抗磨性
- 一种制备纳米金属镍粉的方法
- 一种制备纳米金属镍粉的方法。该方法包括：(1)将硫酸镍配0.2-1.0mol/l的水溶液，(2)在水合肼水溶液中加入2-5重量‰硼氢化钾，得到溶液II；(3)将溶液I升温至50-80℃，加入溶液II，控制加料速度为20-...
- 周辉高愈尊
- 文献传递
- 纳米镍粉的制备工艺研究
- 以水合肼为主还原剂,在添加剂P的作用下,通过严格控制工艺条件,制备出平均粒径约50nm的超细镍粉.TEM、EDS等分析表明,纳米镍粉形貌为类球形,粒径分布30~70nm,纯度大于98﹪.制备纳米镍粉的适宜工艺参数为:pH...
- 周辉高愈尊
- 关键词：纳米镍粉水合肼还原剂还原法
- 文献传递
- 离子减薄法对纳米金属材料微结构的影响被引量：4
- 1998年
- 采用液氮冷却和常温条件下的Ａｒ离子减薄法制备了纳米金属材料的透射电子显微镜样品。观察发现液氮冷却条件下离子减薄的试样中，仍具有纳米相材料的微结构特征，而在常温下减薄的样品中已有一些异常长大的晶粒。
- 李永洪高愈尊张泰宋
- 关键词：纳米金属材料微结构
- 化学法制备的纳米金属粉TEM观察
- ＜正＞纳米材料是当代材料研究和发展的十大方向之一。为满足金属纳米材料和各种性能,特别是力学性能研究的需要。研制大块纳米金属材料已成为国内外纳米金属材料研究急待解决的关键问题。制备这种材料的途径有多种[1][2][3],但...
- 李永洪高愈尊张泰宋
- 文献传递
- 一种纳米镍包铝粉的制备方法
- 本发明公开了一种纳米镍包铝粉及其制备方法。即在球形铝粉的表面上包覆一层纳米镍。其制备方法为以镍盐和球形铝粉为原料，用硼氢化物加水合肼为还原剂，把镍盐水溶液倒入盛有还原剂水溶液浸泡的球形铝粉容器中，快速搅拌，直到镍盐水溶液...
- 高愈尊
- 文献传递
- 氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响
- 1989年
- 在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环.
- 高愈尊高桥平七郎佐藤羲一竹山太郎
- 关键词：单晶硅氧氢电子辐照辐照缺陷
- 化学法制备的纳米金属粉TEM观察
- 1994年
- 化学法制备的纳米金属粉ＴＥＭ观察李永洪，高愈尊，张泰宋（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）纳米材料是当代材料研究和发展的十大方向之一。为满足金属纳米材料和各种性能，特别是力学性能研究的需要，研制大块纳米金属材料已成为国内外纳米金属材料研究急待解...
- 李永洪高愈尊张泰宋
- 关键词：金属粉湿法冶金TEM
- 纳米级金属粉的制备方法
- 本发明涉及用化学方法制备金属粉的方法。以金属盐为原料,以锌粉为置换还原剂,氨水为络合剂,将含有分散剂的金属盐的氨络合离子水溶液与分散均匀的锌粉悬浮液混匀,继续搅拌至反应完成,用氨水洗涤金属粉沉淀,再水洗。用酸或碱溶液溶解...
- 高愈尊李永洪张泰宋
- 文献传递
