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高熙礼

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 4篇漂洗
  • 4篇硅基
  • 2篇电导
  • 2篇压焊
  • 2篇原子扩散
  • 2篇真空镀膜
  • 2篇金属
  • 2篇基片
  • 2篇光学
  • 2篇光学传感器
  • 2篇掺铁
  • 2篇串联型
  • 2篇磁场传感
  • 2篇磁场传感器
  • 2篇磁传感器
  • 2篇磁盘
  • 2篇磁阻

机构

  • 7篇清华大学

作者

  • 7篇章晓中
  • 7篇万蔡华
  • 7篇高熙礼
  • 4篇王集敏
  • 4篇吴利华
  • 2篇张歆
  • 2篇朴红光
  • 1篇谭新玉

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁的碳薄膜材料
本发明属于光学传感器和光电器件材料技术领域的激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁的碳薄膜材料。将Si(100)基片、高纯C靶以及Fe靶放入激光脉冲沉积设备的真空镀膜室内，抽真空至小于8×10<Sup>-4</Sup>P...
章晓中万蔡华高熙礼张歆吴利华
文献传递
一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域的一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件在单晶Si(100)基片表面设有氧化层，在氧化层上设置四个电极。四个电极的几何配置为矩形。制备时将n型Si基...
章晓中万蔡华高熙礼王集敏吴利华
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激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料
本发明属于光学传感器和光电器件材料技术领域的激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料。将Si(100)基片、高纯C靶以及Fe靶放入激光脉冲沉积设备的真空镀膜室内，抽真空至小于8×10<Sup>－4</Sup>Pa...
章晓中万蔡华高熙礼张歆吴利华
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一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁检测和磁传感器材料以及相关测控器件技术领域的一种硅基异质PN结构巨磁阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件是将p型/n型单晶Si(100)基片通过金属压焊或熔接(金属键合)制成p-Si/金属/n-Si串联...
章晓中朴红光万蔡华王集敏高熙礼
一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁检测和磁传感器材料以及相关测控器件技术领域的一种硅基异质PN结构巨磁阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件是将p型/n型单晶Si(100)基片通过金属压焊或熔接(金属键合)制成p-Si/金属/n-Si串联...
章晓中朴红光万蔡华王集敏高熙礼
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一种具有日光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
本发明公开了属于薄膜太阳能电池材料及光电器件材料技术领域的一种具有日光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。在n型Si基片上依次设有氧化硅层和铁掺杂的碳层，形成具有日光光伏效应的铁掺杂碳/氧化硅/硅(C-Fe/SiO<S...
谭新玉章晓中高熙礼万蔡华
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一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域的一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件在单晶Si(100)基片表面设有氧化层，在氧化层上设置4个电极。4个电极的几何配置为矩形。制备时将n型Si基...
章晓中万蔡华高熙礼王集敏吴利华
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