高立
- 作品数：4 被引量：24H指数：2
- 供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 射频磁控溅射和电子束蒸发制备Al掺杂ZnO薄膜
- ZnO薄膜以它较宽的禁带宽度(3.3eV)和较高的激子束缚能(60meV)引起国内外广泛关注,它还具有经济、安全、无毒性和自然储量大的优势.ZnO薄膜的导电性是由它的本征缺陷氧空位和间隙锌原子控制的,实践中为了提高它的导...
- 高立张建民
- 关键词：XRDAFM
- 文献传递
- 带隙可调的Al,Mg掺杂ZnO薄膜的制备被引量：9
- 2009年
- 利用射频磁控溅射(RF-MS)方法,固定Al2O3掺杂量2wt%,Mg掺杂量分别为1wt%,3wt%和5wt%,在玻璃基底上制备了Al掺杂和Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜,在500℃空气中退火2h后,测量并比较了它们的光学和电学性质.结果表明,Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜结晶质量良好,具有ZnO纤锌矿结构,具有较强的(002)面衍射峰,表明薄膜晶体沿c轴优先生长;与Al掺杂ZnO薄膜相比蓝端光透射率增加,1wt%和3wt%Mg掺杂薄膜在可见光区域的平均透射率大于85%;随着Mg掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增大并在3.44—3.51eV范围内可调;Mg掺杂量为1wt%,3wt%和5wt%时,电阻率分别为1.2×10-3,3.7×10-3和8.5×10-3Ω.cm;实验中观察到的Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜的Stokes位移分别为20,14和50meV;另外发现当Mg掺杂量达到5wt%时,Al,Mg共掺杂的ZnO薄膜晶体逐步产生畸变,透光率下降,电阻增大.
- 高立张建民
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜AL
- 射频磁控溅射和电子束蒸发制备ZnO薄膜特性的比较被引量：1
- 2009年
- 利用射频磁控溅射(Radio frequency-magnetro sputtering,RF-MS)和电子束蒸发(Electron beam evaporation,E-BE)方法制备ZnO薄膜,并对两种方法制备的薄膜在400、450和500℃退火后的微观结构、光学与电学性能进行比较.结果表明,RF-MS比E-BE制备的ZnO薄膜的晶粒细小且均匀,表面粗糙度小.两种方法制备的ZnO薄膜的平均透光率均大于80%,且随温度升高均表现出禁带宽度变小以及在380 nm附近出现近带边发射和绿光发射现象.此外,E-BE比RF-MS制备的ZnO薄膜的电阻率小.
- 高立张建民
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜
- 微量Mg掺杂ZnO薄膜的光致发光光谱和带隙变化机理研究被引量：15
- 2010年
- 利用射频磁控溅射(RF-MS)法在450℃玻璃基底上制备了Mg掺杂量分别为0.81at%,2.43at%和4.05at%的ZnO薄膜,对其微观结构、室温光致发光光谱(PL)、光学和电学性质进行了研究.结果发现,微量Mg掺杂ZnO薄膜晶体具有六方纤锌矿结构并保持高结晶质量;掺杂0.81at%和2.43at%Mg的ZnO薄膜室温PL谱中近带边发射(NBE)峰的短波方向出现了高能发射带与NBE峰同时存在;随着Mg掺杂量增加至4.05at%,这个高能发射带逐步将NBE峰掩盖.推测在Mg掺杂ZnO薄膜中,Mg2+替代Zn2+附近核外电子的能量增大并产生了一个高能级.而未被Mg2+替代的Zn2+周围的核外电子能量状态不变,带间能级依然存在,随着Mg掺杂量的增加处于高能级的电子数目逐步增加并占绝对优势.因此,ZnO薄膜随着Mg掺杂量增加薄膜禁带宽度增大,这是由于Mg掺杂后周围电子能量增大与Burstein-Moss效应共同作用的结果.另外,薄膜在可见光区域的平均透射率均大于85%,随着Mg掺杂量的增加,薄膜禁带宽度增大并在3.36—3.52eV内变化;Mg掺杂量为0.81at%,2.43at%和4.05at%时,薄膜电阻率分别为2.2×10-3,3.4×10-3和8.1×10-3Ω.cm.
- 高立张建民
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射光致发光
