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黄钦

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：北京航空航天大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇透明导电
  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇反应磁控溅射
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体薄膜
  • 4篇半导体薄膜技...
  • 3篇非晶
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇透明导电氧化...
  • 2篇膜厚
  • 2篇金属
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇金属铜

机构

  • 7篇北京航空航天...

作者

  • 7篇毕晓昉
  • 7篇黄钦
  • 4篇王柳
  • 2篇李颖
  • 1篇裴延玲
  • 1篇侯凯

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种高导电性能Ag掺杂Cu<Sub>2</Sub>O基p型透明导电薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高导电性能Ag掺杂Cu<Sub>2</Sub>O基p型透明导电薄膜及其制备方法，涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射的方法，控制反应溅射工艺参数，制备出一系列不同Ag含量掺杂的Cu<Sub>2<...
裴延玲毕晓昉黄钦王柳
文献传递
一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法，涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射方法，控制工艺参数，制备出空穴载流子浓度和迁移率相对比于结晶氧化物薄膜同时提高的非晶薄膜。制备方法原理简单，沉积...
毕晓昉黄钦王柳
文献传递
一种高导电性能Ag掺杂Cu<Sub>2</Sub>O基p型透明导电薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高导电性能Ag掺杂Cu<Sub>2</Sub>O基p型透明导电薄膜及其制备方法，涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射的方法，控制反应溅射工艺参数，制备出一系列不同Ag含量掺杂的Cu<Sub>2<...
毕晓昉黄钦王柳
一种透明导电金属薄膜及其制备方法
本发明提出一种透明导电金属薄膜及其制备方法，通过磁控溅射方法，该薄膜的材料为非晶态的金属铜，该透明导电金属薄膜厚度为7～30nm，电阻率为10<Sup>-5</Sup>～10<Sup>-4</Sup>Ωcm。当透明导电金...
毕晓昉李颖黄钦
一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法，涉及半导体薄膜技术领域。本发明采用反应磁控溅射方法，控制工艺参数，制备出空穴载流子浓度和迁移率相对比于结晶氧化物薄膜同时提高的非晶薄膜。制备方法原理简单，沉积...
毕晓昉黄钦王柳
Fe_(83)Zr_7B_9Mn_1非晶合金中α-Fe纳米晶化的HRTEM和结晶动力学研究被引量：1
2013年
通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和差示扫描量热法(DSC)研究了Fe83Zr7B9Mn1非晶合金中α-Fe纳米晶的结晶过程和非等温结晶动力学。通过HRTEM观察和X射线衍射分析,确定结晶析出相是α-Fe,在经过903K热处理之后,合金内部晶粒尺寸长大至20nm以上。对重叠放热峰进行了分峰拟合。利用Flynn-Wall-Ozawa方法确定了结晶过程的表观激活能Ea=260.3kJ/mol。进一步研究发现Fe83Zr7B9Mn1非晶合金中α-Fe纳米晶非等温结晶过程不适合用Johnson-Mehl-Avrami(JMA)模型描述,而可以利用esták-Berggren自催化模型进行描述。通过计算,α-Fe纳米晶结晶过程的指前因子以及转化函数分别为:lnA=30.6以及f(α)=α0.37(1-α)1.08。
侯凯黄钦毕晓昉
关键词：纳米晶化结晶动力学
一种透明导电金属薄膜及其制备方法
本发明提出一种透明导电金属薄膜及其制备方法，通过磁控溅射方法，该薄膜的材料为非晶态的金属铜，该透明导电金属薄膜厚度为7～30nm，电阻率为10<Sup>-5</Sup>～10<Sup>-4</Sup>Ωcm。当透明导电金...
毕晓昉李颖黄钦
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