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龚俊平

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：西南交通大学信息科学与技术学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电流负载
  • 1篇频率补偿
  • 1篇转换速率
  • 1篇阈值电压
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压器
  • 1篇误差放大器
  • 1篇相位
  • 1篇相位裕度
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇晶体管
  • 1篇LDO
  • 1篇MOS晶体管

机构

  • 3篇西南交通大学

作者

  • 3篇龚俊平
  • 2篇冯全源

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 3篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种三级误差运放单密勒补偿技术的研究被引量：1
2009年
针对新的三级运放单密勒补偿拓扑结构,建立小信号等效模型。从结构的稳定性出发,采用极点复数补偿法对系统进行补偿,优化了相位裕度、转换速率和调整时间。设计三级运放电路,负载为25 kΩ/120 pF,给出了在TSMC 0.18μm CMOS工艺下的仿真验证。
龚俊平冯全源
关键词：相位裕度转换速率
一种应用于LDO新型误差放大器的研究与设计
随着工艺水平的不断进步，便携式电子的应用领域不断深入，使得低压差线性稳压器(LDO)的性能要求更加严格。LDO的未来发展趋势是：低成本，低噪声、低功耗，高效率，高集成度，适用范围更广。国内IC行业起步晚，LDO的发展也落...
龚俊平
关键词：稳压器误差放大器频率补偿电流负载
文献传递
MOS晶体管失配模型研究及应用被引量：2
2009年
采用0.18μm CMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配.通过分析MOS管在饱和区失配因素,优化MOS管失配模型,提出用最小二乘曲线拟合法进行相关模型参数提取.并根据这些参数对基本电路的失配进行预测和分析,给出改善MOS管匹配性的方法.这为相应的集成电路设计中存在的失配提供了理论依据.
龚俊平冯全源
关键词：阈值电压蒙特卡罗
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