乔建房
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：郑州大学更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
- 2009年
- 首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨。结果发现,在950℃和30MPa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×10(81kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化。
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- 关键词：陶瓷电容器热压烧结介电性能
- SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能研究
- 本文首先采用固相法合成了Ca CuTiO(CCTO)粉体,将CCTO粉体与Si C粉体均匀混合,制备Si C/CCTO
- 王海龙乔建房关莉张锐
- 文献传递
- Cu包裹SiCp增强Fe基复合材料的研究
- 采用非均相沉淀法制备 Cu 包裹 SiC 复合粉体,以及粉末冶金和常压气氛烧结的方法制备 Cu-SiC 复合粉体增强 Fe 基复合材料。利用 X 射线衍射、扫描电镜等手段对 Cu 包裹 SiC 复合粉体以及烧结样品进行了...
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- 文献传递
- 热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
- 首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体，与SiC粉体均匀混合后，采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为，采用XRD、SEM等手段对样...
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- 关键词：陶瓷电容器性能表征
- SiC边界层陶瓷电容器的研制
- 2007年
- 选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器。采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析。结果发现:1300℃为最佳烧结温度,该温度下最高介电常数(ε)为713100;电容器具有正的介温系数,介电常数在50℃附近急剧增大,而介质损耗(tanδ)在该温度点急剧降低,60℃之后两者均趋于稳定,这可能与界面处产生的空间电荷极化有关;电容器具有强烈的频率色散效应。
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- 关键词：SIC边界层电容器介电常数介质损耗
