何山
- 作品数：13 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- 富电子膦硫混配钴簇合物Co_6S_8[P(OCH_3)_3]_6的电化学研究
- 1999年
- 利用循环伏安法研究了膦硫混配原子簇化合物Co_6S_8［P（OCH_3）_3］_6的电化学行为，结果表明Co_6S_8［P（OCH_3）_3］_6在CH_2Cl_2溶液中可现察到三个可逆氧化还原过程，其电子转移过程为：并探讨了其电子转移的机理和结构构型的关系以及作为电子贮存分子器件的可能性．
- 童叶翔康北笙刘冠昆何山
- 关键词：簇合物钴分子器件电化学
- 基于半导体异质结THz激光器的辐射机理研究
- 近十年THz领域主要的研究目标是研制出小型化、高功率、并能在室温下工作的THz器件。实现这一目标的最佳途径是利用纳米结构各种独特的光学和电学性能，目前已经实现THz辐射的器件有量子级联激光器、非对称耦合量子阱、Bloch...
- 何山
- 关键词：解析解介电常数非对称量子阱纳米激光器
- 文献传递
- VO_2纳米粉体与纳米晶功能陶瓷的制备与特性被引量：8
- 2002年
- 热解(NH4)5[(VO)6(CO3)4(OH)9]@10H2O晶体前驱体.可制得粒径可控为10～60 nm、VO1.950±x～VO2.050±x(x＜0.005)整比性可控的无定形态、准结晶态或结晶态、颗粒均匀、呈球形的VO2纳米粉体.VO2纳米粉体烧结成粒径＜400nm,比值ρs/ρM可达103数量级跳变的VO2纳米晶陶瓷.随缺氧的增加,Tc和ρs/ρM比值降低,晶胞的a,c轴和体积V都随之减小.烧结温度过高,陶瓷出现V8O15杂相,杂相严重降低陶瓷的性能.
- 雷德铭何山傅群郑臣谋
- 关键词：功能陶瓷热解二氧化钒
- DMSO中钇与钆及其合金膜的电化学研究
- 稀土及其合金膜广泛应用在磁、光、核和超导材料领域,如果这样的合金膜能用电沉积的方法来制备,则它们的功效可大大改进,并能扩展其应用范围.在水溶液中沉积稀土元素会由于析氢而变得十分困难.因此考虑在有机溶剂二甲亚砜(DMSO)...
- 何山
- 关键词：稀土元素电化学
- 钙钛矿结构中的简谐子软模被引量：1
- 2002年
- 利用复合空间型方法 ,在自由边界条件下解出了钙钛矿结构有限尺寸晶体的简谐振动方程 .计算结果给出了收敛的简谐子谱分布 ,并发现了许多简谐子软模 .用这些软模花样说明了钛酸钡晶体冷却时发生具有a畴和c畴结构的铁电相变 .理论表明铁电相变过程涉及屏蔽电荷的激发及其在界面的缓慢扩散 ,以最后得出各个电畴内部的均匀自发极化 .
- 李智强陆夏莲陈敏何山李景德
- 关键词：钙钛矿结构晶格动力学钛酸钡晶体铁电相变
- 自由边界条件钙钛矿结构晶格振动的研究
- 2001年
- 本文用最近邻力系数和次近邻力系数f,k,g,给出了n=N_1×N_2×N_3三维有限自由BaTiO_3晶体的简谐振动方程。对n由75增大到4800的不同体系进行了数值计算。观察到方程的解随着n的增大而收敛的性质。给出了体系在自由三维情况下的简谐振动频谱,一些低频模的花样。找到了导致结构不稳定的晶化软模。对旋转模在循环边界条件下发生的变化进行了说明。
- 何山
- 关键词：晶格振动自由边界条件软模钛酸钡
- 铁电相变的简谐子软模图像
- 2002年
- 在自由边界条件下计算了立方钛酸钡有限尺寸晶体中原子的简谐振动模 ,发现许多简谐子软模。用这些软模花样说明了晶体冷却时发生具有a畴和c畴结构的铁电相变。理论表明铁电相变过程涉及屏蔽电荷的激发及其在界面的缓慢扩散 ,以最后得出各个电畴内部的均匀自发极化。铁电相变过程的这些细节 。
- 丘翠环李智强何山陈敏
- 关键词：铁电相变钛酸钡晶体晶格动力学
- 二氧化钒和三氧化二钒研究进展被引量：27
- 2003年
- VO_2和V_2O_3是优异的光、电、磁热敏材料,在多种技术领域中具有广阔的应用前景,已成为国内外新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了VO_2和V_2O_3的粉体、陶瓷和薄膜的研究进展,并对相关问题进行讨论。
- 何山韦柳娅傅群林晨雷德铭郑臣谋
- 关键词：二氧化钒三氧化二钒粉体材料陶瓷
- 不同整比性VO_2纳米粉体的合成被引量：12
- 2003年
- 以V_2O_5,HCl,N_2H_4·2HCl和NH_4HCO_3为原料合成了紫红色多晶(NH_4)_5[(VO)_6(CO_3)_4(OH)_9]·10H_2O(I),产率80％～95％.在N_2气流中对前体I进行了TG/DTG和DTA热分析.研究了前体I在N_2-空气气流中热解时氧分压(po_2)和反应温度对产物VO_2整比性的影响。结果表明,在500℃条件下,VO_x中的x值与po_2呈正比关系,在po_2=30.3 Pa条件下,在450～520℃区间,产物为缺氧VO_2;在t<450℃和t>520℃时,产物为富氧VO_2.在合适的条件下,成功地合成了从VO_(1.927)到VO_(2.080)之间不同整比性的VO_2粉体.产物组成均匀,其XRD谱未观察到非VO_2的杂质峰.VO_2粉体颗粒的平均粒径为20nm,粒度分布均匀并呈球形。
- 何山林晨雷德铭郑臣谋
- 关键词：二氧化钒纳米粉体半导体
- VO<,2>纳米粉体与纳米晶功能陶瓷的制备与特性
- 热解(NH<,4>)<,5>[(VO)<,6>(CO<,3>)<,4>(OH)<,9>]·10H<,2>O晶体前驱体.可制得粒径可控为10~60nm、VO<,1.950±x>~VO<,2.050±x>(x<0.005)整...
- 雷德铭何山傅群郑臣谋
- 关键词：热解
- 文献传递
