关宝璐
- 作品数：112 被引量：100H指数：6
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- AlInGaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器温度特性的对比研究被引量：2
- 2006年
- 通过测量、对比材料生长和器件制备条件基本相似,但是谐振腔腔模波长与增益峰值波长相对位置明显不同的两类氧化物限制型应变AlInGaAs/AlGaAs量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)在261—369K温度范围内输出光功率_电流的变温曲线,同时结合测试得到的两类样品的白光反射谱、光荧光谱以及模拟计算得到的不同温度下VCSEL反射谱和增益谱,分析了输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度变化的关系,掌握了新材料AlInGaAs的温度特性,得到了谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置对VCSEL输出特性,尤其是对阈值的影响规律,指出获得室温工作阈值最低且稳定的VCSEL的一个方法是调整谐振腔腔模波长和增益峰值波长的相对位置,并利用这种方法获得了特征温度T0=333K的AlInGaAs/AlGaAs量子阱VCSEL器件.
- 陈敏郭霞关宝璐邓军董立闽沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 一种运用粒子群算法优化VCSEL阵列排布的方法
- 本发明公开了一种运用粒子群算法优化VCSEL阵列排布的方法，基于改善结温分布均匀性的目的，本发明运用迭代收敛技术将优化过程分为两个部分，分别是热电反馈计算过程和粒子群排布优化过程。在粒子群算法中引入基于最小势能原理的适应...
- 金冬月雷鑫关宝璐张万荣潘永安周钰鑫刘圆圆
- 不同温度下GaAs/GaN键合结构CL谱的比较分析
- 白光发光二极管与其他光源相比具有高亮度、低损耗、长寿命等优点,而其中单芯片白光的研究被广泛关注.目前对制备单芯片白光的各种材料的研究已经取得了一定的进展,本文针对单芯片白光n+GaAs/ p+GaN直接键合结构做了进一步...
- 李川川关宝璐揣东旭郝聪霞任秀娟李硕郭帅郭霞
- 基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置...
- 邵泓焰关宝璐张杨崔利杰崔宁曾一平
- 垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法，垂直腔面发射激光器阵列结构由上至下依次包括偏振选择结构、液晶模块和垂直腔面发射激光器本体，偏振选择结构能够进行单偏振和偏振调控输出，以获得高...
- 关宝璐闻燕张晓昱王宏卓叶文轩
- 载流子输运和寄生参数对隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器调制特性的影响被引量：1
- 2009年
- 建立了一种适用于多量子阱和多有源区的多层速率方程模型.通过小信号分析,得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对单有源区和隧道再生双有源区垂直腔面发射激光器频率响应特性的影响,并分析了在相同驱动电流下隧道再生双有源区器件调制带宽大于单有源区器件的原因.进一步研究了隧道再生双有源区内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器的寄生电参数及其寄生电路,对其频率响应进行了模拟分析.
- 王同喜关宝璐郭霞沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器速率方程调制特性隧道再生
- 内腔亚波长光栅液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 内腔亚波长光栅液晶可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法涉及半导体激光器和液晶物理学领域，激光器，包括：具有亚波长光栅的Half‑Vcsel部分，作为发射激光的基本半导体激光器结构，液晶微腔部分，其主要利用液晶电控双折射特...
- 关宝璐王志鹏张峰
- 文献传递
- 波长可调谐垂直腔面发射激光器可动顶DBR的研究与制备
- 本文研究、设计了应用在波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)上的MEMS悬臂梁结构,考虑到悬臂梁自身应力的影响,通过PECVD高低频交替生长的办法改变Si3N4薄膜应力,使多层SiO2和Si3N4薄膜之间的应力减小,...
- 关宝璐郭霞王红航渠红伟达小丽董立敏陈敏沈光地
- 关键词：VCSEL悬臂梁调谐激光器
- 文献传递
- 一种渐变的体声波激励宽带磁电天线及其制备方法
- 一种渐变的体声波激励宽带磁电天线及其制备方法属于磁电天线技术领域。本发明通过下电极和压电层渐变厚度的设计，在单个器件中集成多种渐变声速的磁电天线，进而实现多模式体声波协同激励特性，增大磁电天线的辐射带宽。通过有限元计算线...
- 邢艳辉王庆辉关宝璐韩军
- 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法
- 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。因为边发射激光器谐振腔长度的原因，其不容易直接实现单纵模输出，所以本发明要改进边发射激光器激射激光的单纵模窄线宽特性。通过电子束...
- 关宝璐刘储李建军江孝伟潘冠中李鹏涛刘振扬杨嘉炜徐晨
- 文献传递
