冯丰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：天津电子信息职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 富铟熔体生长InP晶体中的微观缺陷
- 2014年
- 通过原位磷注入液封直拉(LEC)法在富铟熔体中生长了<100>方向的磷化铟单晶,并研究了晶体内缺陷形态及形成机制。在富铟熔体中生长的磷化铟晶锭中发现,多种形态富铟夹杂物镶嵌在磷化铟基体中。在晶片的抛光过程中,由于局部受力不均匀导致富铟夹杂周围的晶体出现裂纹。通过研究发现,除了磷化铟晶体的各向异性外,局部的冷却条件也控制着晶体凝固过程,进而控制着富铟夹杂物的形态。由于磷化铟基体与富铟夹杂物的热膨胀系数不同,在富铟多面体夹杂物产生了很大的应力,进而导致富铟夹杂物附近出现了位错聚集现象。经讨论给出了这些夹杂物的形成机制及其对晶体质量的影响。
- 冯丰王书杰王阳
- 关键词：单晶生长熔体
- 砷化镓晶体生长设备的发展回顾被引量：2
- 2013年
- 作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域。为了充分利用其固有的半导体特性,提高其晶体材料的完整性,优化生产工艺,降低生产成本,国内外的研究人员开发了不同类型的专用于砷化镓单晶材料的生产设备。回顾总结了砷化镓晶体生长设备的发展历程,包括砷化镓材料的合成设备、晶体生长设备,重点介绍了目前成熟的VB、VGF单晶炉的性能特点,对比介绍了业内较为代表的设备类型,展望了砷化镓单晶炉的未来发展趋势。
- 冯丰王军红
- 关键词：GAAS单晶
