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磁有序自组装结构构筑:弱键及磁耦合强度调控: 在二维表面自组装结构中实现磁或其它序参量的有序化对新型量子器件的研制具有特别重大的意义。本研究针对自组装体系中弱相互作用在理解和调控上面临的困难，以实现自组装二维磁有序网格结构为目标，以基于密度泛函理论的第一性原理计算和...; 张立新厉建龙胡振芃曹亚安吕文刚; 关键词：分子自组装

纳米团簇晶体的制备和结构研究被引量：5: 2004年; 利用表面调制“幻数团簇”的方法制备出Al、Ga和In的纳米团簇人造晶体。这种方法是用Si(111) 7× 7表面作为“模板”生长尺寸相同和分布有序的纳米团簇。通过扫描隧道显微镜 (STM )原位分析结合第一性原理计算确定了金属纳米团簇的原子结构以及这些结构的形成机理。我们的研究表明对生长动力学的精确控制是制备团簇晶体的关键所在。此外 ,这种方法并不局限于制备某一种金属团簇。人造纳米团簇具有高的热稳定性和独特的结构使它们有希望在实际中得到广泛的应用。; 贾金锋窦瑞芬李绍春刘洪徐茂杰刘熙王俊忠厉建龙薛其坤李志强张绳百; 关键词：晶体纳米团簇金属团簇原子结构生长动力学

Si(001)表面上有序In纳米线阵列的制备: 低维量子结构具有其体材料所不具有的特殊物理和化学性质,并且有可能利用它们制备全新的光电子、微电子器件,所以长期以来低维量子结构的研究一直是一个很活跃的课题[1-3]。我们利用金属/半导体外延技术在具有特定周期性的Si(0...; 厉建龙梁学锦贾金峰薛其坤; 文献传递

低维纳米结构的分子束外延生长和变温扫描隧道显微镜研究: 该文的工作主要是利用分子束外延技术和扫描隧道显微镜研究了两类低维结构的生长过程及其结构.这两类低维结构是:1)Ⅲ族金属In、Ga,合金Ag/In以及磁性金属Mn在Si(111)-7x7模板衬底上形成的有序全同量子点阵;2...; 厉建龙; 关键词：量子点量子线扫描隧道显微镜低维纳米结构分子束外延技术; 文献传递

超高真空中使用的高纯过渡金属蒸发源: 2000年; 设计了一种超高真空使用的低电流过渡金属蒸发源 ,它能产生高纯金属原子束 ,且具有一定的寿命。该蒸发源是将过渡金属Co,Ni或Cr电镀到一个由W丝弯成的U形加热器上构成的。装入超高真空中 ,利用W丝自身的电阻加热 ,去气后 ,可获得数小时的清洁蒸发。实验结果表明 ,在离蒸发源约 5cm处 ,其淀积速率最高可达 1 0nm/min ,总的淀积厚度超过 5 0 0nm ,而且Auger分析结果显示 ,在超高真空中淀积的上述几种过渡金属薄膜 ,其纯度相当高 ,杂质含量均小于仪器的检测灵敏度。; 陆华厉建龙张青哲覃俭薛其坤; 关键词：过渡金属超高真空金属薄膜

固态vander WaalsC _(60)膜晶格的Coulomb膨胀: 2000年; 利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaalsC6 0 膜在室温下较之C6 0 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C6 0 分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C6 0 分子上 .有趣的是 ,该固态C6 0 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C6 0 膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C6 0; 薛其坤厉建龙孙牧陆华T.HashizumeY.LingY.HasegawaK.OhnoZ.Q.LiY.KawazoeT.SakuraiH.KamiyamaH.Shinohara; 关键词：晶体生长分子束外延晶格

全同周期排列的纳米团簇阵列的自发生长(英文)被引量：1: 2002年; 我们提出了利用分子束外延的自组织生长过程大面积制备二维周期性纳米金属团簇阵列的一种方法。该方法的普适性通过研究Si(1 1 1 ) - 7× 7衬底上生长的Ⅲ族元素、贵金属、磁性金属以及它们的合金团簇得到证实。通过对In团族点阵的原位扫描隧道显微镜分析和第一性原理总能量计算 ,我们确定了这些团簇独特的原子结构 ,阐明了这些结构的形成机理。; 贾金锋厉建龙梁学锦刘熙王俊忠刘洪窦瑞芬徐茂杰潘明虎李绍春薛其坤李志强John S Tse张振宇张绳百; 关键词：扫描隧道显微镜分子束外延纳米团簇

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厉建龙