周帆
- 作品数：80 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 取样光栅DFB激光器
- 近年来,取样光栅(SG)结构的宽带可调谐激光器成为研究的热点.这是由于取样光栅制作工艺跟传统全息曝光光栅制作工艺兼容,无需使用昂贵和低效的电子束刻蚀工艺和灵活性差的相位掩模板曝光技术,并且取样光栅结构同样能实现高的边模抑...
- 阚强赵玲娟周帆王宝军王圩
- 关键词：可调谐激光器取样光栅
- 文献传递
- 借助保护层的取样光栅的制作方法
- 一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层；在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域；将曝光后的结构进行选择性...
- 王桓阚强周帆王宝君朱洪亮
- 文献传递
- 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法
- 一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P...
- 张云霄廖栽宜周帆赵玲娟王圩
- 低介电常数BCB树脂的固化方法
- 一种低介电常数BCB树脂的固化方法，具体步骤如下：步骤1：在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂；步骤2：通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保...
- 程远兵周帆潘教青陈娓兮王圩
- 文献传递
- 在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导(英文)被引量：1
- 2006年
- 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.
- 杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩
- 关键词：共面波导高阻硅高频光电子封装
- 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法
- 一种激光器－电吸收调制器－模斑转换器的制作方法，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、空间层、本征层；用PECVD技术在本征层上生长二氧化硅；去掉本征层，第二次生长有源区及本征层，同时刻出模斑转换器的上波导结构；刻...
- 侯廉平王圩朱洪亮周帆王鲁峰边静
- 文献传递
- 使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器(英文)
- 2004年
- 采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式 Bragg反射激光器 .通过同时控制相位区和光栅区的注入电流 ,该激光器的波长可以准连续地调谐 4 .6 nm .在整个调谐范围内 ,除了少数几个模式跳变点以外 ,激光器的单模特性保持良好 ,边模抑制比均达到了 30 d
- 张靖陆羽赵玲娟周帆王宝军王鲁峰王圩
- 关键词：量子阱混杂波长调谐
- 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
- 2004年
- 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
- 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰
- 关键词：宽带偏振不灵敏消光比
- 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
- 2006年
- 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.
- 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩
- 关键词：超低压
- MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：3
- 1996年
- 本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．
- 郑联喜肖智博韩勤金才政周帆马朝华胡雄伟
- 关键词：单量子阱激光器激光器MOCVD
