周毛兴
- 作品数：10 被引量：35H指数：4
- 供职机构：南昌大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
- 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>Al<Sub>1－x－y </Sub>N，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特...
- 江风益王立熊传兵方文卿刘和初周毛兴
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- 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
- 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面制备欧姆电极。...
- 江风益方文卿王立莫春兰刘和初周毛兴
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- Si衬底GaN基LED理想因子的研究被引量：9
- 2006年
- 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。
- 刘卫华李有群方文卿周毛兴刘和初莫春兰王立江风益
- 关键词：SI衬底GANLED
- 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法
- 本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(In<Sub>x</Sub>G...
- 王立江风益周毛兴方文卿
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- 具有内陷电极的半导体发光元件
- 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导...
- 江风益王立方文卿周毛兴刘和初
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- Si衬底上生长GaN基蓝光LED
- 利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1m...
- 莫春兰方文卿刘和初周毛兴江风益
- 关键词：发光二极管氮化镓硅衬底
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- 硅衬底GaN基LED的研究进展被引量：9
- 2005年
- 与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED。
- 莫春兰方文卿王立刘和初周毛兴江风益
- 关键词：发光二极管GANSI衬底
- Si衬底GaN基LED的结温特性被引量：9
- 2006年
- 结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。
- 刘卫华李有群方文卿莫春兰周毛兴刘和初熊传兵江风益
- 关键词：SI衬底GAN发光二极管结温
- 硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制被引量：10
- 2005年
- 利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.
- 莫春兰方文卿刘和初周毛兴江风益
- 关键词：INGAN多量子阱LEDSI(111)衬底硅衬底SI衬底
- 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
- 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连。用本...
- 江风益方文卿王立莫春兰刘和初周毛兴
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