周清
- 作品数：17 被引量：10H指数：2
- 供职机构：贵州大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信农业科学化学工程更多>>
- RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究被引量：2
- 2013年
- 采用带有RHEED的MBE技术,在GaAs(001)单晶衬底上生长不同厚度(0 ML,4 ML,15 ML)的In0.53Ga0.47As外延层,实时监测RHEED衍射图像的演变过程,生长结束后采用STM对其形貌进行扫描分析。研究分析结果表明,随着In0.53Ga0.47As外延层的不断加厚,RHEED衍射图像从最初的清晰明锐、重构可辨逐渐演变到背景模糊、条纹断裂,最后进入完全的网格状斑点状态;与此同时,对应的表面形貌也从原子级的有序平坦表面逐渐过渡到部分3D岛形成、粗糙度提高,最后表面完全由3D岛构成,表面进入粗糙状态。
- 王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
- 关键词：RHEEDSTM
- 一种含磺酰哌嗪的查耳酮衍生物及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种含磺酰哌嗪的查耳酮衍生物及其制备方法和应用，涉及化合物合成技术领域。本发明制备方法包括以下步骤：对羟基苯乙酮和取代芳香醛，在碱性条件下反应得到中间体1；取代苯磺酰氯和哌嗪在有机溶剂A中反应得到中间体2；中...
- 薛伟周清陈帅詹文亮胡蝶孙楠周然周远香袁春梅龚晨裕幸丽毛飘张桃张念何帮灿田姣刘燚
- 文献传递
- InAs(001)吸附表面的不可逆重构相变研究
- 2013年
- 对吸附了大量As的InAs（001）样品进行升降温热处理，发现在485℃时表面有从（3×1）重构到（2×4）重构的不可逆转变现象。利用扫描隧道显微镜对（3X1）重构表面分析，结果表明大量常温吸附的As从表面脱附使InAs（001）（2×4）重构表面最顶层的Asdimer也一起脱离表面，（3×1）重构表面实际上是由20％的富As（2×4）重构区域与80％的富In（4×2）重构区域组成。不可逆相变是由于As束流提供的As4原子团吸附到富In区域，使样品表面恢复N（2×4）重构相，而（2X4）蓖构相能在390～490℃温度范同内稳定存在。
- 郭祥周勋罗子江王继红周清刘珂丁召
- 关键词：不可逆相变
- 一种制备扫描隧道显微镜纯钨探针的装置
- 本实用新型公开了一种制备扫描隧道显微镜纯钨探针的装置，它包括第一三维可调节支架（1），第一三维可调节支架（1）的横杆上垂直安装有磁铁（2），探针托盘（3）固定在磁铁（2）的下端，上方线圈（4）放置在支撑盘（5）底部，支撑...
- 丁召王一魏文喆周清黄梦雅罗子江郭祥
- 文献传递
- 一类含磺酸酯的杨梅素衍生物及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种含磺酸酯杨梅素衍生物、其制备方法及用途，其结构通式如下所示：<Image file="DDA0002836032770000011.GIF" he="463" imgContent="drawing" i...
- 薛伟苏时军尹诗涛彭峰周清刘婷婷唐雪梅贺鸣
- 一种含噻二唑的黄酮醇类衍生物及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种含噻二唑的黄酮醇类衍生物及其制备方法与应用，属于农药合成技术领域，以3‑(溴烷氧基)‑7‑取代基‑2‑(4‑取代基苯基)‑4H‑色酮‑4‑酮与5‑取代基‑2‑巯基‑1,3,4‑噻二唑发生取代反应，生成含噻...
- 薛伟周远香龚晨裕周清邓天宇安有山刘庚谭青胡春梅王玉红贺鸣
- 一种含磺酰基哌嗪的杨梅素衍生物、制备方法及用途
- 本发明公开了一种含磺酰基哌嗪的杨梅素衍生物、制备方法及用途，其结构通式如下所示：<Image file="DDA0002569433750000011.GIF" he="450" imgContent="drawing"...
- 薛伟贺军尹诗涛周清唐显福唐雪梅王岚贺鸣
- MBE生长InGaAs/GaAs(001)多层矩阵式量子点被引量：1
- 2013年
- 用分子束外延(MBE)设备以Stranski-Krastanov(S-K)生长模式,通过间歇式源中断方式外延生长了多个周期垂直堆垛的InGaAs量子点,首次获得大小及密度可调的In0.43Ga0.57As/GaAs(001)矩阵式量子点DWELL结构。样品外延结构大致为500nm的GaAs、多个周期循环堆垛InGaAs量子点和60ML的GaAs隔离层等。生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控,样品经退火后使用扫描隧道显微镜(STM)进行表面形貌的表征。
- 周清刘珂罗子江郭祥周勋丁召
- 关键词：分子束外延
- 含喹唑啉的杨梅素衍生物、其制备方法及用途
- 本发明公开了一种含喹唑啉的杨梅素衍生物、其制备方法及用途，其结构通式如下所示：其中，R为取代喹唑啉环上取代基；n为碳链中碳的个数分别为2、3、4、5；取代基为喹唑啉环上5‑8含有一个或多个烷基、烷氧基、硝基、卤素原子。本...
- 薛伟贺军尹诗涛周清唐雪梅刘婷婷彭峰贺鸣
- MBE生长GaAs(001)薄膜表面的Ostwald熟化过程研究被引量：7
- 2013年
- 采用带有RHEED的MBE技术,利用RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,通过RHEED强度振荡测算薄膜生长速率,在GaAs(001)基片上同质外延GaAs薄膜。利用STM对MBE生长的GaAs薄膜表面的熟化过程进行了深入研究。研究发现,随着退火时间的延长,刚完成生长的GaAs表面从具有大量岛和坑的粗糙表面逐渐熟化,在熟化过程中岛不断合并扩大并与平台结合,而坑却逐渐消失。指出当熟化过程完成后GaAs表面将进入原子级平坦状态,并详细解释了熟化过程GaAs表面各种形貌特征形成的内在原因。
- 王继红罗子江周勋郭祥周清刘珂丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM熟化
