您的位置： 专家智库 > >

唐菲

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇吸收率
  • 3篇激光
  • 3篇硅膜
  • 3篇飞秒
  • 3篇飞秒激光
  • 3篇掺杂
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇热蒸发
  • 2篇脉冲
  • 2篇膜层
  • 2篇激光脉冲
  • 2篇硅衬底
  • 2篇硅
  • 2篇衬底
  • 1篇电特性
  • 1篇态势感知
  • 1篇网络
  • 1篇网络安全
  • 1篇网络安全态势

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇唐菲
  • 4篇杜玲艳
  • 4篇李睿
  • 4篇李世彬
  • 4篇吴志明
  • 4篇李伟
  • 4篇吴雪飞
  • 4篇胡征
  • 4篇姬春晖

年份

  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
网络安全态势感知可视化的研究与实现
网络安全态势感知是网络安全领域的新兴课题，它更偏重于在宏观上把握网络安全的整体态势，也更利于实现对大规模网络安全状态的监控和管理。特别是对网络管理员而言，网络安全态势感知能使其摆脱技术细节的束缚，从而把更多的精力投入到对...
唐菲
关键词：网络安全态势感知可视化技术聚类分析
文献传递
一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
一种制备黑硅材料的方法
本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量...
吴志明唐菲杜玲艳李睿胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
一种在掺杂膜层上制备黑硅的方法
本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒...
吴志明李睿杜玲艳唐菲胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
文献传递
一种制备黑硅材料的方法
本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量...
吴志明唐菲杜玲艳李睿胡征李世彬李伟吴雪飞姬春晖
文献传递
飞秒激光制备掺杂黑硅及其光电特性的研究
硅具有资源丰富、耐高温、易与现有集成电路技术兼容的优点，在半导体行业中具有广泛的应用。但是，硅的禁带宽度为1.12eV，因此对波长长于1100nm的入射光基本无光电响应。这一固有性质限制其在近红外领域的应用。硫族元素超饱...
唐菲
关键词：光电特性飞秒激光
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0