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多永正

作品数:12 被引量:20H指数:1
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信

主题

  • 11篇纳米
  • 10篇掺杂
  • 8篇氧化锌纳米
  • 7篇纳米线
  • 5篇室温铁磁性
  • 5篇铁磁
  • 5篇铁磁性
  • 4篇氧化锌纳米线
  • 4篇气相
  • 3篇气相沉积
  • 3篇ZNO纳米
  • 3篇ZNO纳米线
  • 3篇场发射
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇形貌
  • 2篇盐酸
  • 2篇盐酸溶液
  • 2篇酸溶液

机构

  • 12篇北京科技大学
  • 2篇北京大学

作者

  • 12篇多永正
  • 11篇常永勤
  • 5篇龙毅
  • 5篇张寅虎
  • 5篇强文江
  • 4篇郭佳林
  • 3篇倪赛力
  • 2篇陈喜红
  • 1篇叶荣昌

传媒

  • 3篇功能材料
  • 1篇北京科技大学...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法
一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法,属于准一维纳米材料和纳米技术领域。工艺为:将Zn和CoCl<Sub>2</Sub>相邻放置在瓷舟中作为蒸发源,用单晶硅片作为接收衬底放置在距离蒸发源4~6mm的正上方;将瓷舟置于管式...
常永勤多永正
文献传递
一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法
一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法,属于纳米材料的制备技术领域。工艺步骤为:将纯铜片依次浸入15~20%盐酸溶液和丙酮中各3~7min,进行表面处理。取锌粉均匀平铺在石英舟中,将纯铜片放置在反应源的上方,距反应源4~8mm...
张寅虎常永勤多永正
文献传递
影响氧化锌纳米材料场发射性能的因素被引量:1
2007年
采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同.
倪赛力常永勤陈喜红张寅虎多永正强文江龙毅
关键词:场发射形貌稳定性
一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法
本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法-气相沉积方法,这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小,加热温度偏低,加热时间较短,大大节约了生产成本。另外,制备过程中也不需要加入异质催化剂,因而可以完全避免杂质...
常永勤郭佳林多永正
文献传递
气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究
研究了气相沉积方法制备的 Co 掺杂 ZnO 纳米线的结构及其磁学性能.结果表明,Co 离子代替 Zn 离子的位置进入 ZnO 晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性.
多永正常永勤郭佳林龙毅强文江
关键词:气相沉积室温铁磁性
文献传递
气相沉积法制备Co掺杂ZnO纳米线的磁学性能研究
2007年
研究了气相沉积方法制备的Co掺杂ZnO纳米线的结构及其磁学性能。结果表明,Co离子代替Zn离子的位置进入ZnO晶格,样品的磁性能对实验条件的依赖性比较大,通入适量空气的条件下制备的样品具有室温铁磁性。
多永正常永勤郭佳林龙毅强文江
关键词:气相沉积室温铁磁性
Mn掺杂ZnO纳米线的拉曼散射和光致发光特性被引量:18
2007年
研究了不同Mn掺杂含量的ZnO纳米线在室温条件下的拉曼散射和光致发光性能,发现Mn掺杂入ZnO后引入了部分应力,在其拉曼光谱中表现出拉曼峰的位置发生偏移,Mn的掺杂含量越高,峰偏移得越明显。Mn的掺杂对ZnO纳米线的发光性能也有影响,尽管掺杂后仍保持有较为明显的紫外发光峰,但是,随着Mn含量的增加,紫外发光峰的强度降低,并且半峰宽逐渐增大。此外,Mn的掺杂明显地改变了ZnO紫外发光峰的位置。
倪赛力常永勤多永正张寅虎龙毅强文江叶荣昌
关键词:拉曼光致发光
一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法
一种制备铜掺杂氧化锌纳米线的方法,属于纳米材料的制备技术领域。工艺步骤为:将纯铜片依次浸入15~20%盐酸溶液和丙酮中各3~7min,进行表面处理。取锌粉均匀平铺在石英舟中,将纯铜片放置在反应源的上方,距反应源4~8mm...
张寅虎常永勤多永正
文献传递
一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法
一种在氧化锌纳米柱中实现钴掺杂的方法,属于准一维纳米材料和纳米技术领域。工艺为:将Zn和CoCl<Sub>2</Sub>相邻放置在瓷舟中作为蒸发源,用单晶硅片作为接收衬底放置在距离蒸发源4~6mm的正上方;将瓷舟置于管式...
常永勤多永正
文献传递
一种气相沉积制备锡掺杂氧化锌纳米线的方法
本发明提供了一种简单的合成Sn掺杂ZnO纳米线的方法-气相沉积方法,这种方法不需要球磨设备。使用的氩气流量较小,加热温度偏低,加热时间较短,大大节约了生产成本。另外,制备过程中也不需要加入异质催化剂,因而可以完全避免杂质...
常永勤郭佳林多永正
文献传递
共2页<12>
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