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姚宗

作品数:21 被引量:147H指数:7
供职机构:中北大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术机械工程更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 6篇压力传感器
  • 6篇压阻
  • 6篇力传感器
  • 5篇压阻式
  • 5篇SOI
  • 4篇记录器
  • 4篇FPGA
  • 3篇压阻式压力传...
  • 3篇MEMS
  • 2篇倒装焊
  • 2篇倒装焊接
  • 2篇电路
  • 2篇多通道
  • 2篇信号
  • 2篇压力敏感
  • 2篇压力敏感芯片
  • 2篇数据采集

机构

  • 21篇中北大学

作者

  • 21篇姚宗
  • 10篇梁庭
  • 8篇熊继军
  • 6篇任勇峰
  • 5篇文丰
  • 5篇李赛男
  • 5篇李丹丹
  • 5篇李旺旺
  • 5篇齐蕾
  • 4篇张迪雅
  • 3篇李士照
  • 3篇张焱
  • 2篇陈建军
  • 2篇宋丹
  • 2篇张瑞
  • 2篇杨翠虹
  • 1篇雷程
  • 1篇李鑫
  • 1篇洪应平
  • 1篇杨帆

传媒

  • 4篇仪表技术与传...
  • 3篇计算机测量与...
  • 2篇自动化与仪表
  • 2篇传感技术学报
  • 2篇电子器件
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇通信技术
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2010
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究被引量:1
2016年
在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较。测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99%,重复性高达0.35%,迟滞性为0.1%,有望用到实际工程应用中。
李丹丹梁庭李赛男姚宗熊继军
关键词:压力敏感芯片
水下压力记录器
本发明提供一种水下压力记录器,包括密闭钢壳,其上密闭连接有钢壳盖,其特征在于:所述钢壳为环形圆柱体,钢壳内紧贴内层侧壁设置环形电路板,环形电路板上设有电池及内部电路,钢壳内的外层侧壁上设置有压力传感器;钢壳内部填充灌封材...
文丰陈建军任勇峰姚宗李士照宋丹
抗混叠滤波设计在数据采集系统中的应用被引量:10
2015年
数据采集的抗混叠滤波,在电路设计中是很重要的考虑因素;在数据采集系统中,对一定带宽的模拟信号,采样率必须满足奈奎斯特采样定理,否则将产生混叠现象,这将导致原始信号无法从取样信号还原,严重影响测量结果;本设计在信号调理部分及A/D采集部分均采用了抗混叠设计,FPGA采用XILINX公司的XC3S400作为主控制器;综合各个环节,提出了高精度数据采集中抗混叠滤波设计的方法,并简单介绍了AD采样与模拟开关切换时序设计,为高精度数据采集系统的设计提供了十分有益的参考。
张焱任勇峰姚宗
关键词:采样率FPGA数据采集系统
基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计被引量:19
2015年
利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。
李丹丹梁庭李赛男姚宗熊继军
关键词:高温压力传感器压阻
基于SOI的E型结构MEMS高温压力传感器的设计被引量:5
2018年
文中设计了一种基于SOI材料的E型结构MEMS压阻式高温压力敏感芯片。E型结构与传统的C型膜结构相比解决了由于过载压力所导致的传感器灵敏度与线性输出无法同时满足工程需求的问题。在设计方面,先通过经典薄板理论得到敏感C型膜的优化参数,再结合ansys workbench有限元分析软件进而得到E型结构的大小并模拟E型结构的力学性能;设计电阻的形状以及排列位置并通过仿真分析得到最佳的电阻布置,介绍了E型结构MEMS压力传感器的加工工艺,设计的传感器满量程输出为993 mV,可实现对量程8 MPa压力的测量。
李鑫梁庭赵丹姚宗雷程李旺旺
关键词:灵敏度压力传感器有限元分析
MEMS压阻式压力传感器倒装焊封装的研究和发展被引量:5
2016年
介绍了倒装焊接技术在MEMS压阻式压力传感器封装领域的优势和目前研制的压力敏感芯片的倒装焊的关键技术。根据封装结构设计和基板材料的不同,详细论述了国内外MEMS压阻式压力传感器倒装焊技术的研究成果。最后总结了MEMS压力传感器倒装焊技术的发展前景和所面临的挑战。
张迪雅梁庭姚宗李旺旺张瑞熊继军
关键词:压力传感器封装
ICP深硅刻蚀工艺掩模的研究被引量:7
2015年
通过使用深硅等离子刻蚀机,以C4F8和SF6为刻蚀气体,对以光刻胶与金属铝两种材料作为掩模的深硅刻蚀结果进行对比,研究了深硅刻蚀过程中掩模材料对刻蚀结果的影响。实验结果表明:以光刻胶做掩模,深硅刻蚀后硅侧壁和硅底部表面形貌平整,垂直度较之铝掩模相当;以金属铝做掩模,深硅刻蚀后深槽底部表面不平整,出现长草现象,但是刻蚀选择比大于光刻胶,两种掩模的硅刻蚀速率相当。
李丹丹梁庭李赛男姚宗熊继军
关键词:感应耦合等离子体掩模光刻胶表面形貌
一种低功耗水下多通道实时采集存储装置的设计被引量:12
2013年
为准确获取目标的多项动态参数并进行实时、稳定的存储,我们设计了一种可在水下进行采集存储,并实现多次启动的采集装置。该装置的硬件主要包括信号调理电路、电源管理电路、时统触点接口电路。对于时统信号,采用抽样判决消抖,在一定程度上保证了时统信号接收的可靠性。同时采集存储装置在多次水中测试过程中未出现误启动状况,系统运行稳定可靠。
宋丹任勇峰姚宗
关键词:数据采集信号调理
控制信号传输的高可靠性设计
2014年
在我们平常使用或设计的电子电路中,或多或少都会受到电磁干扰的影响;其中一小部分电磁干扰是以射频辐射的方式被直接接受的,大部分电磁干扰则通过瞬时传导被接受;在数字电路中,复位、中断和控制信号最容易受到电磁干扰的影响;我们在对研制的设备进行电磁干扰实验中,控制信号受其影响,导致指令下发错误,影响了设备正常工作;为了解决该问题,我们首先从硬件电路设计进行分析,找到了问题所在及改进方法;同时,在无法改变PCB板的前提下,将控制信号进行封锁,改进控制信号消抖逻辑设计,从而从硬件电路设计及逻辑设计上,保证了控制信号的高可靠性传输。
任勇峰张焱齐蕾姚宗
关键词:电磁干扰控制信号逻辑设计
ICP工艺参数对刻蚀Pyrex玻璃影响的实验研究(英文)被引量:1
2016年
影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力,偏置射频功率,氩气流量比率。通过正交试验的方法,以CHF3和Ar的混合物作为反应气体,利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之间的关系。实验结果表明,氩气的流量比率(总气体流量(CHF3+Ar)是恒定的)对刻蚀速率的影响最大,影响程度的主次顺序为氩气的流量比率,反应室压力,偏置射频功率。腐蚀速率和三个因素之间的数学表达式为:腐蚀速率=532.680 0+2.055 6×Ar+0.012 7×(偏置射频功率)-0.964 1×压力-0.065 5×Ar2-0.006 7×Ar×(偏置射频功率)+0.021 7×(偏置射频功率)×压力-0.050 4×(压力)2,实验结果证明数学拟合结果良好。
张迪雅梁庭刘雨涛王涛龙李旺旺姚宗熊继军
关键词:正交试验刻蚀速率
共3页<123>
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