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应变SiGe层中本征载流子浓度的计算被引量：2: 2007年; 采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。; 赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷; 关键词：锗硅合金

薄膜二维生长的计算机模拟: 随着电子工业的发展和信息产业的兴起，薄膜材料和薄膜技术已成为材料科学与工程研究领域的重点之一。制备符合需要的纳米薄膜材料，需要对薄膜的生长过程及微观机制进行深入的研究，以便人工控制生长过程。由于受实验条件及其...; 孔蕴婷; 关键词：计算机模拟; 文献传递

退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙被引量：2: 2008年; 针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.; 文于华唐吉玉赵传阵吴靓臻孔蕴婷汤莉莉刘超吴利锋李顺方陈俊芳; 关键词：带隙退火

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x基区内建电场的物理机制被引量：1: 2007年; 采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响.发现加入Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要大于掺杂对内建电场的影响.Ge组分为三角形分布时,在总的Ge组分一定的条件下,内建电场从发射结到集电结逐渐变大.在任一给定位置x处,内建电场随着Ge组分的增加而增大.当Ge组分分布为矩形三角形分布时,对于给定的Ge组分转折点x1,基区内建电场从发射结到集电结缓慢地增大.在Ge组分恒定的区域,内建电场变化甚微,在Ge组分为线性缓变区域的同一位置x处,内建电场随Ge组分转折点x1的增大而缓慢地增大.此外,在x1附近内建电场变化有一个很大的陡坡.; 赵传阵唐吉玉文于华吴靓臻孔蕴婷; 关键词：硅锗合金内建电场高斯分布

p型重掺杂应变Si_(1-x)Ge_x层中少子常温和低温行为: 2008年; 采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而减少,其减少的速度越来越慢。低温下,在考虑杂质不完全电离的同时,对由非简并情形向简并情形过渡的杂质电离出来的空穴浓度进行了修正,发现在同一Ge组分下,少子浓度随掺杂浓度的增加而增大,其增加的速度变得越来越快。同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度,轻掺杂时增加的较慢,重掺杂时增加得越来越快。; 赵传阵唐吉玉肖海霞文于华吴靓臻孔蕴婷; 关键词：硅锗合金

SiO2薄膜热应力模拟计算被引量：10: 2009年; 薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图,对薄膜现实生长具有一定的指导意义.; 吴靓臻唐吉玉马远新孔蕴婷文于华陈俊芳; 关键词：热应力 SIO2薄膜有限元

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孔蕴婷