孙凌
- 作品数：6 被引量：5H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于原位水汽生成工艺的栅氧化膜特性(英文)被引量：2
- 2008年
- 介绍了一种制作栅介质的新工艺——原位水汽生成工艺.基于Deal-Grove模型提出了原位水汽生成过程中活性氧原子和硅—硅键反应形成硅氧硅键的氧化模型,并通过MOS电容结构对原位水汽生成和炉管湿法氧化所形成的栅氧化膜的电击穿特性进行了研究和分析.测试结果表明原位水汽生成的栅氧化膜相对于炉管湿法氧化有着更为突出的电学性能,这可以认为是由于弱硅—硅键的充分氧化所导致的.表明原位水汽生成在深亚微米集成电路器件制造中具有广阔应用前景.
- 孙凌杨华岳
- 关键词：栅介质击穿
- 基于等离子体氮化工艺的超薄栅氧化膜的电学特性和可靠性(英文)
- 2008年
- 介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性.结合两种氮化工艺在栅介质膜中形成了双峰和单峰的氮分布.通过漏极电流、沟道载流子和TDDB的测试,发现栅介质膜中双峰的氮分布可以有效提高器件的电学特性,更为重要的是可以极大提高器件的击穿特性.这指明了延长掺氮氧化膜在超大规模集成电路器件栅介质层中应用的寿命,使之有可能进一步跟上技术的发展.
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- 关键词：等离子体氮化迁移率时变击穿
- 原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究被引量：3
- 2008年
- 介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间。
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- 关键词：热载流子注入经时击穿
- 利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化被引量：3
- 2006年
- 利用现场水汽生成(in-situsteamgeneration,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0·76nm降到了0·16nm,49点厚度值的标准偏差从0·25nm降到了0·04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4·3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.
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- 基于原位水汽生成的超薄栅氧膜电学特性研究(英文)被引量：4
- 2008年
- 介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺相比传统炉管氧化工艺能够有效地提高界面态特性,这种电学特性上的提高被认为与活性氧原子的氧化机制有关。同时,通过测试还发现提高生长温度和减小H2在反应气体中的比重可以获得更好的电特性,这也指明了原位水汽生长工艺存在进一步提高的可能。
- 孙凌高超王磊杨华岳
- 关键词：界面态迁移率
- 应用于集成电路器件的超薄栅氧化层工艺研发
- 在集成电路器件的发展过程中，以二氧化硅为绝缘层的栅氧化膜一直扮演着相当重要的角色。随着器件的尺寸不断缩小，栅氧化膜的厚度也必须相对地变薄，以符合器件发展的要求。但这样会导致栅氧化膜的绝缘能力减弱，从而使器件的漏电流增大并...
- 孙凌
