季峰
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 小尺寸MOSFET阈值电压模型及高k栅介质研究
- 随着MOSFET特征尺寸的不断减小,一些新的物理现象/(如:栅极漏电增加、短沟道效应等/)不断涌现。而栅极漏电的增加直接导致器件不能正常工作,短沟道效应的增强导致器件阈值电压漂移。为减小栅极漏电,选用合适的高k材料替代S...
- 季峰
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管高K栅介质阈值电压叠层栅介质
- 文献传递
- 先进的小尺寸MOS器件高k栅介质及界面特性研究
- 徐静平刘璐邹晓季峰汪礼
- MOS器件尺寸的不断等比缩小一直是CMOS集成电路领域的国际前沿，是提高工作速度、降低功耗，提高集成密度的关键所在。器件尺寸的缩小面临着栅极漏电增加，短沟效应增强，界面特性恶化，器件可靠性降低等诸多问题，其中核心问题是栅...
- 关键词：
- 关键词：集成电路存储器
- 表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响被引量：1
- 2007年
- 在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。
- 徐静平李艳萍许胜国陈卫兵季峰
- 关键词：界面态密度三氯乙烯
- 表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：3
- 2006年
- 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2+CHCl3(TCE)表面预处理工艺,可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度,从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。
- 许胜国徐静平李艳萍陈卫兵季峰
- 关键词：HFO2MOS器件栅极漏电流界面态
- 一款高精度宽温度范围TCXO芯片的设计被引量：2
- 2012年
- 本文基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计了一款高精度、宽温度补偿范围的温度补偿晶体振荡器(TCXO)芯片.利用函数发生电路产生符合f-T关系的五次多项式电压,电路产生电压与f-T特性表达式中的对应项相符合,求和电路可对各项系数进行单独调整.电路参数的调整范围使得大部分AT切石英晶体均适用于本设计.测试结果表明,在-40℃～105℃的温度范围内,TCXO频率稳定性达到±0.6ppm.
- 李晓宇徐静平钟德刚季峰
- 关键词：TCXO温度补偿
- 深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟
- 2007年
- 用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案求电子的自由飞行时间.这两个措施的实施,减小了蒙特卡罗模拟时间,加快了模拟速度.模拟中主要考虑了电离杂质、声学形变势、表面粗糙散射和电子谷间散射四种散射机制.模拟的MOSFET输出特性曲线和电子速度在沟道中的分布与报道的相关结果符合得很好.
- 季峰徐静平陈卫兵李艳萍
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管蒙特卡罗
- HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON/HfTiSiON)物理厚度变化(ΔTox)和电容等效厚度变化(ΔCET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。
- 季峰徐静平张洪强黎沛涛李春霞官建国
- 关键词：高K栅介质氮化
- P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的p型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性。其中的成核层,不仅促进微晶相p层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用。
- 雷青松徐火希王晓晶季峰徐静平
- 关键词：柔性太阳能电池
- 超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型
- 2007年
- 采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。
- 许胜国徐静平季峰陈卫兵李艳萍
- 关键词：隧穿电流金属-氧化物-半导体场效应晶体管超薄栅介质
- 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型被引量：4
- 2006年
- 通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型,模拟结果与实验十分符合.在此基础上,基于准二维泊松方程,通过考虑短沟道效应和量子效应,建立了较为精确的适合于小尺寸MOSFET的量子修正阈值电压模型,模型同样适用于(超)深亚微米高k栅介质MOSFET电特性的模拟和结构参数的设计.
- 李艳萍徐静平陈卫兵许胜国季峰
- 关键词：阈值电压量子效应短沟道效应高K栅介质
