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尹文龙

作品数:43 被引量:16H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院化工材料研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 34篇专利
  • 9篇期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇晶体
  • 11篇陶瓷
  • 11篇激光
  • 8篇单晶
  • 8篇晶系
  • 7篇红外
  • 7篇红外激光
  • 7篇
  • 6篇水平梯度
  • 6篇微波介质
  • 6篇微波介质陶瓷
  • 6篇介质陶瓷
  • 6篇冷凝法
  • 6篇钡化合物
  • 6篇
  • 5篇透明陶瓷
  • 5篇晶胞
  • 5篇晶胞参数
  • 5篇晶体生长
  • 5篇SUB

机构

  • 43篇中国工程物理...
  • 24篇四川省新材料...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 43篇尹文龙
  • 25篇康彬
  • 16篇余盛全
  • 15篇胥涛
  • 14篇唐明静
  • 14篇袁泽锐
  • 11篇方攀
  • 8篇陈莹
  • 7篇窦云巍
  • 6篇张羽
  • 5篇邓建国
  • 4篇吉祥波
  • 4篇黄辉
  • 1篇魏星斌
  • 1篇姚吉勇
  • 1篇王卫民
  • 1篇尚建力
  • 1篇任怀瑾
  • 1篇邬映臣

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇中国激光
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 9篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 11篇2017
  • 7篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
43 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷,材料化学式组成为Ca<Sub>x</Sub>Y<Sub>3‑x</Sub>Al<Sub>5‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>O<Sub>12</Sub>,其中x=1...
余盛全敬畏尹文龙胥涛方攀窦云巍袁泽锐陈莹唐明静康彬张羽谢靖
一种ZrO<Sub>2</Sub>、LiF共掺杂真空烧结氧化镥透明陶瓷的方法
本发明公开了一种ZrO<Sub>2</Sub>、LiF共掺杂真空烧结氧化镥透明陶瓷的方法。该方法对常规真空烧结制备氧化镥透明陶瓷的方法进行了改良,结合了LiF和ZrO<Sub>2</Sub>的助烧性能优点,通过工艺步骤的...
敬畏黄辉余盛全胥涛吉祥波邓建国康彬尹文龙唐明静
文献传递
大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备被引量:3
2020年
磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备,器件在2.09μm的吸收系数仅为0.03 cm^-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。
袁泽锐窦云巍窦云巍方攀陈莹康彬
关键词:晶体生长
新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征
2020年
锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1~14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm^2。
陈莹袁泽锐袁泽锐谢婧方攀尹文龙康彬
关键词:坩埚下降法单晶生长
中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备被引量:2
2020年
镝掺杂硫镓铅(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料。为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy∶PGS单晶。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy∶PbGa2S4单晶,尺寸达到Φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础。
方攀袁泽锐袁泽锐尹文龙陈莹
关键词:晶体生长
硫锗铝钡化合物及其制备方法、硫锗铝钡晶体及其制备方法和应用
本发明公开了一种硫锗铝钡化合物及其制备方法、硫锗铝钡晶体及其制备方法和应用。硫锗铝钡化合物和硫锗铝钡晶体的化学式均是BaAl<Sub>2</Sub>GeS<Sub>6</Sub>;硫锗铝钡化合物是将含Ba物质、含Al物质...
尹文龙余盛全张羽谢婧唐明静袁泽锐窦云巍方攀陈莹康彬邓建国
文献传递
大口径超低吸收系数中红外磷锗锌晶体与器件制备被引量:1
2022年
光参量振荡(OPO)技术是目前实现全固态可调谐高功率3~5μm中红外激光的主流方案,其核心是红外非线性光学晶体,晶体品质决定红外激光功率水平。磷锗锌(ZnGeP_(2),ZGP)晶体性能优异,被称为“中红外非线性光学晶体之王”,但在0.7~2.2μm附近存在异常的光学吸收带,这阻碍了ZGP OPO功率的进一步提升。针对这一问题,采用自制的梯度冷凝炉,结合超低梯度冷凝技术,生长出3.8~5.0 cm大尺寸ZGP单晶,通过定向、切割、退火、抛光、镀膜等处理后,成功实现了多种规格OPO器件的生产,最大器件尺寸达30 mm×30 mm×40 mm,器件在波长2.09μm和1.064μm处的吸收系数分别低至0.015 cm^(-1)和0.4 cm^(-1)。采用单块超低吸收ZGP OPO器件,实现了3~5μm高功率中红外激光输出,功率达107 W,斜率效率为75%,光光效率为61.8%,光束质量(M^(2))为3.1左右。
袁泽锐窦云巍窦云巍陈莹尹文龙陈莹
关键词:激光技术
化合物SrCdGeS&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用
本发明公开了一种化合物SrCdGeS<Sub>4</Sub>及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用。本发明采用高温固相反应法,经过两次烧结制备出SrCdGeS<Sub>4</Sub>化合物纯相,采用水平梯度冷...
尹文龙余盛全唐明静张羽袁泽锐窦云巍方攀陈莹谢婧康彬邓建国
文献传递
硫锗镓铅化合物、硫锗镓铅晶体及其制备方法和用途
本发明公开了一种硫锗镓铅化合物,所述硫锗镓铅化合物的化学式是PbGa<Sub>2</Sub>GeS<Sub>6</Sub>。本发明还公开了所述硫锗镓铅化合物的制备方法。进一步的,本发明还公开了一种硫锗镓铅晶体,该晶体的化...
尹文龙余盛全张羽谢婧窦云巍袁泽锐唐明静方攀陈莹康彬
文献传递
YAM低介微波介质陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种YAM低介微波介质陶瓷及其制备方法,YAM低介微波介质陶瓷,包括基料和烧结助剂;所述基料的化学式结构为Y<Sub>4</Sub>Al<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>;所述基料的原料包括Y...
余盛全敬畏尹文龙唐明静胥涛康彬
文献传递
共5页<12345>
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