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崔贲涛

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电子回旋共振
  • 2篇ECR-CV...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体特性
  • 1篇射频溅射
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇立方氮化硼
  • 1篇立方氮化硼薄...
  • 1篇溅射
  • 1篇CBN
  • 1篇CVD
  • 1篇CVD生长
  • 1篇ECR

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇崔贲涛
  • 2篇陈光华
  • 2篇严辉
  • 2篇张生俊
  • 2篇王波

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第二届海内外...

年份

  • 3篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ECR-CVD法制备BN薄膜
2000年
cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
张生俊崔贲涛王波严辉陈光华
关键词：电子回旋共振CBN
立方氮化硼薄膜的汽相成核与生长研究
立方氮化硼(c-BN)是一种新型的人工合成宽带隙半导体材料.在对近年来c-BN薄膜的制备技术、生长机理模型和目前面临的问题进行了综合性的回顾之后,采用两步生长偏压射频溅射法(即在薄膜成核和生长过程采用不同的沉积参量匹配)...
崔贲涛
关键词：汽相沉积立方氮化硼射频溅射
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ECR-CVD法制备BN薄膜
cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8﹪的BN薄膜;分析了H<,2>在CVD生长cBN中...
张生俊崔贲涛王波严辉陈光华
关键词：电子回旋共振等离子体特性CVD生长
文献传递
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