您的位置： 专家智库 > >

张昌利

作品数：16 被引量：53H指数：3
供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金机械工业技术发展基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇晶闸管
  • 8篇GTO
  • 7篇关断
  • 6篇可关断晶闸管
  • 5篇电力
  • 5篇电力电子
  • 4篇电力电子技术
  • 3篇半导体
  • 2篇电力电子器件
  • 2篇电子器件
  • 2篇门极
  • 2篇功率
  • 2篇关断特性
  • 2篇IGCT
  • 2篇大功率
  • 1篇导通
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...
  • 1篇短路环
  • 1篇新器件

机构

  • 15篇西安电力电子...
  • 4篇西安理工大学
  • 3篇天津大学
  • 2篇西安交通大学
  • 1篇河北工程大学

作者

  • 16篇张昌利
  • 4篇陈治明
  • 4篇季凌云
  • 3篇张立
  • 3篇白杰
  • 2篇白继彬
  • 2篇杨大江
  • 2篇姚振华
  • 2篇朱长纯
  • 1篇陈志敏
  • 1篇张巍
  • 1篇刘利贤
  • 1篇王江
  • 1篇吴春瑜
  • 1篇兀革
  • 1篇刘伟
  • 1篇吴爱国
  • 1篇吴济钧
  • 1篇李冲
  • 1篇李云德

传媒

  • 7篇电力电子技术
  • 2篇半导体技术
  • 1篇半导体情报
  • 1篇Journa...
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇世界产品与技...
  • 1篇天津大学学报
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 16 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术被引量：34
1999年
阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｃｏｍ ｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ） 的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ 技术的基础上，采用硬驱动技术，集成其门极驱动电路和反并联二极管，省去了吸收电路，兼具ＧＴＯ 导通损耗低和ＩＧＢＴ 关断均匀的特点。由于其开关频率高，易于串联，故适合在中电压大功率领域使用。
杨大江姚振华朱长纯白继彬张昌利
关键词：功率器件晶闸管电力电子器件
1000A 2500V逆阻型GTO
1994年
论述了1000A,2500V大功率逆阻型可关断晶闸管(GTO)的基本设计原则,给出了主要工艺特征和元件的开关特性.采用改进的扩散工艺、掺氯氧化(TCE)和高能电子幅照技术,使逆阻型GTO的p基区杂质分布和n基区少子寿命达到了最佳化,从而获得了具有优良开关特性的GTO元件.
张昌利
关键词：可关断晶闸管
600A1800V可极可关断晶闸管（GTO）的研制
1992年
1992年4月,西安电力电子技术研究所研制的国产600A,1000～1800V逆阻型大功率GTO晶闸管通过了由陕西省机械厅主持的样品鉴定会,不久将投入小批试生产。GTO晶闸管属新一代的电力半导体自关断器件。它可广泛地用于斩波器、高压直流开关以及风机泵类负荷的变频调速装置的逆变器中。与普通晶闸管(SCR)装置相比,使用GTO的装置由于消除了复杂的强迫换相电路,而具有体积小。
张昌利
关键词：可关断晶闸管晶闸管
带有转向器的MOS双门极EST晶闸管
1999年
对带有ｐ型转向器的ＭＯＳ双门极ＥＳＴ晶闸管（ＤＧＥＳＴＤ）进行了研究。该ｐ型转向器（ｄｉｖｅｒｔｅｒ）与双门极的结合使得空穴电流分流，从而明显改善了传统ＥＳＴ的正向偏置安全工作区（ＦＢＳＯＡ），提高了其开关能力。用ＴＭＡＭＥＤＩＣＩ商用器件模拟软件对ＤＧＥＳＴＤ特性进行了模拟验证。
张昌利闵源基金相哲朴钟文
关键词：晶闸管转向器MOS
电力电子技术 国际会议(ICPE’95)所见被引量：1
1997年
电力电子技术国际会议（ＩＣＰＥ’９５）所见张昌利吴济钧西安电力电子技术研究所（西安７１００６１）应东道国韩国电气学会ＫＩＥＥ（ＫｏｒｅａＩｎ－ｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｎｉｎｇ）的邀请，我们一行二人参加了韩国汉城Ｗａｌｋｅｒ...
张昌利吴济钧
关键词：电力电子技术
门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证
1996年
分析了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）在关断过程中出现再导通现象的机理。通过试验证明了再导通现象的存在，同时验证了在高温下，再导通ＧＴＯ的阻断电压远低于规定结温下的阻断电压。
季凌云张昌利李更生白杰
关键词：可关断晶闸管晶闸管
GTO关断特性的SPICE模拟被引量：3
1998年
本文提出了用于模拟ＧＴＯ关断特性的ＳＰＩＣＥ等效电路模型．根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数．用此模型对１０００Ａ／２５００Ｖ阳极短路型ＧＴＯ的关断特性进行了模拟，包括关断电流拖尾现象在内的整个关断过程，模拟结果与器件的测试结果吻合较好．
兀革陈治明张昌利徐南屏
关键词：晶闸管GTO关断特性SPICE
关断过程中 GTO 正向阻断结失效机理的研究被引量：5
1997年
本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理。在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效。从器件内部载流子的输运规律出发，作者阐述了这三个极限参数引起ＧＴＯ失效的机理，建立了三种不同的失效模式；首次研究了ＧＴＯ关断过程中下降时间内瞬时峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。
张立刘利贤陈志敏郑同江季凌云季凌云白杰张昌利
关键词：晶闸管
高压IGBT制造技术的最新动向被引量：5
1997年
阐述了当前２．５～４．５ｋＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。
张昌利陈治明
关键词：电力电子技术绝缘栅双极型晶体管IGBT
新型阳极短路环的大功率 GTO被引量：3
1998年
采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则、制造工艺、通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。
张昌利李冲贾洪渊陈治明
关键词：阳极短路发射极GTO晶闸管
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0