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张昌利
作品数:
16
被引量:53
H指数:3
供职机构:
西安电力电子技术研究所
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国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈治明
西安理工大学自动化与信息工程学...
季凌云
西安电力电子技术研究所
张立
河北工程大学
白杰
西安电力电子技术研究所
朱长纯
西安交通大学电子与信息工程学院
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作者
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张昌利
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陈治明
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季凌云
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张立
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白杰
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年份
1篇
2001
2篇
2000
2篇
1999
2篇
1998
5篇
1997
1篇
1996
2篇
1994
1篇
1992
共
16
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新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术
被引量:34
1999年
阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管IGCT(Integrated Gate Com mutated Thyristor) 的基本工作原理和关键设计技术。IGCT在GTO 技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具GTO 导通损耗低和IGBT 关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。
杨大江
姚振华
朱长纯
白继彬
张昌利
关键词:
功率器件
晶闸管
电力电子器件
1000A 2500V逆阻型GTO
1994年
论述了1000A,2500V大功率逆阻型可关断晶闸管(GTO)的基本设计原则,给出了主要工艺特征和元件的开关特性.采用改进的扩散工艺、掺氯氧化(TCE)和高能电子幅照技术,使逆阻型GTO的p基区杂质分布和n基区少子寿命达到了最佳化,从而获得了具有优良开关特性的GTO元件.
张昌利
关键词:
可关断晶闸管
600A1800V可极可关断晶闸管(GTO)的研制
1992年
1992年4月,西安电力电子技术研究所研制的国产600A,1000~1800V逆阻型大功率GTO晶闸管通过了由陕西省机械厅主持的样品鉴定会,不久将投入小批试生产。GTO晶闸管属新一代的电力半导体自关断器件。它可广泛地用于斩波器、高压直流开关以及风机泵类负荷的变频调速装置的逆变器中。与普通晶闸管(SCR)装置相比,使用GTO的装置由于消除了复杂的强迫换相电路,而具有体积小。
张昌利
关键词:
可关断晶闸管
晶闸管
带有转向器的MOS双门极EST晶闸管
1999年
对带有p型转向器的MOS双门极EST晶闸管(DGESTD)进行了研究。该p型转向器(diverter)与双门极的结合使得空穴电流分流,从而明显改善了传统EST的正向偏置安全工作区(FBSOA),提高了其开关能力。用TMAMEDICI商用器件模拟软件对DGESTD特性进行了模拟验证。
张昌利
闵源基
金相哲
朴钟文
关键词:
晶闸管
转向器
MOS
电力电子技术 国际会议(ICPE’95)所见
被引量:1
1997年
电力电子技术国际会议(ICPE’95)所见张昌利吴济钧西安电力电子技术研究所(西安710061)应东道国韩国电气学会KIEE(KoreaIn-stituteofElectricalEngineening)的邀请,我们一行二人参加了韩国汉城Walker...
张昌利
吴济钧
关键词:
电力电子技术
门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证
1996年
分析了门极可关断晶闸管(GTO)在关断过程中出现再导通现象的机理。通过试验证明了再导通现象的存在,同时验证了在高温下,再导通GTO的阻断电压远低于规定结温下的阻断电压。
季凌云
张昌利
李更生
白杰
关键词:
可关断晶闸管
晶闸管
GTO关断特性的SPICE模拟
被引量:3
1998年
本文提出了用于模拟GTO关断特性的SPICE等效电路模型.根据器件的工作特性并结合器件结构提取模型参数.用此模型对1000A/2500V阳极短路型GTO的关断特性进行了模拟,包括关断电流拖尾现象在内的整个关断过程,模拟结果与器件的测试结果吻合较好.
兀革
陈治明
张昌利
徐南屏
关键词:
晶闸管
GTO
关断特性
SPICE
关断过程中 GTO 正向阻断结失效机理的研究
被引量:5
1997年
本文重点研究了可关断晶闸管(GTO)正向阻断结的三种失效机理。在GTO关断过程中,阳极瞬时峰值功耗、阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏,从而使GTO关断失效。从器件内部载流子的输运规律出发,作者阐述了这三个极限参数引起GTO失效的机理,建立了三种不同的失效模式;首次研究了GTO关断过程中下降时间内瞬时峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。
张立
刘利贤
陈志敏
郑同江
季凌云
季凌云
白杰
张昌利
关键词:
晶闸管
高压IGBT制造技术的最新动向
被引量:5
1997年
阐述了当前2.5~4.5kV高压IGBT的最新制造技术和典型器件结构,认为高压大电流IGBT器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。
张昌利
陈治明
关键词:
电力电子技术
绝缘栅
双极型晶体管
IGBT
新型阳极短路环的大功率 GTO
被引量:3
1998年
采用新型阳极短路环的发射极结构,开发出1000A,2500V和2000A,2500V大功率阳极短路型GTO。本文给出该元件的设计原则、制造工艺、通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。
张昌利
李冲
贾洪渊
陈治明
关键词:
阳极短路
发射极
GTO
晶闸管
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