张顾万
- 作品数：3 被引量：26H指数：2
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析被引量：6
- 2002年
- 叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
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- 关键词：LPCVD淀积多晶硅发雾
- PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究被引量：20
- 2001年
- 对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。
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- 关键词：PECVD氮化硅介质膜
- HgCdTe红外焦平面用1×288 CCD读出电路
- 2004年
- 设计和研制了一种采用多晶硅交叠栅结构的1×288红外信号处理器读出电路。制作中采用了多重吸杂技术和大剂量离子注入技术,提高了电路的信号处理能力,降低了信号噪声。该电路具有分割、抗晕、背景撇出功能。其功耗小于等于50mW,动态范围大于等于60dB,转移效率大于等于99.99％。详细介绍了这种1×288红外读出电路的理论设计和研制方法,给出了工艺流程及器件的测试方法。
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- 关键词：电荷耦合器件
