方凯
- 作品数：14 被引量：1H指数：1
- 供职机构：辽宁大学物理系更多>>
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- 一种新型高精度温度补偿的压力传感器
- 1989年
- 木文介绍了根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,来代换扩散硅压力传感器中利用扩散电阻进行温度补偿的原理和优越性。
- 方凯王荣
- 关键词：传感器温度补偿膜片
- 一种新型高精度温度补偿压力传感器被引量：1
- 1989年
- 本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,将温度补偿晶体管代换扩散硅压力传感器中的温度补偿电阻,从而制出一种新型高精度温度补偿压力传感器.
- 方凯王荣
- 关键词：温度补偿压力传感器传感器
- 全文增补中
- 大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管
- 1990年
- 为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。
- 方凯王荣罗永春
- 关键词：静电感应晶体管静电感应晶闸管功率方向多数载流子五极管
- 双栅MOSFET'S的短沟道效应
- 1989年
- 双栅 MOS 场效应晶体管(DG-MOSF-ET'S)随沟道长度的缩短而阈值电压和击穿电压等相应的降低,即出现了所谓短沟道效应。本文就是对这种特性进行分析和推导。以使对 DG-MOSFET'S 有更进一步的认识,从而达到更广泛的应用。
- 方凯
- 关键词：沟道效应沟道长度反型层表面势
- 宽温区低漂移集成运算放大器
- 1989年
- 本文是把新近研制成功的沟道基区晶体管(channel base transistor=CBT)运用到集成运算放大器上,这样不仅使运算放大器的工作温度范围展宽,而且也使其失调及失调温漂等特性显著的减小。有效的扩展了集成运算放大器的参数指标和应用范围。
- 方凯
- 关键词：集成运算放大器集成运放失调电压基极电流发射结
- 一种新型低漂移集成运算放大器
- 1988年
- 本文是利用新近研制成功的沟道基区晶体管(channel base transiston=CBT)运用到集成运算放大器上。这样不仅使运算放大器的工作温度范围展宽,而且也使其失调及失调温漂等显著地减小。
- 方凯仲玉林
- 关键词：集成运算放大器集成运放电流增益发射结基极电流
- 宽温区高精度集成运放OP-07
- 1990年
- 本文是把新近研制成功的沟道基区晶体管(channel Base transistor:CBT)及宽温区技术应用到集成运算放大器 OP-07上。有效的扩展了其工作温度范围,减小了失调及失调温漂,从而提高了 OP-07的精度。进而也扩大了它的应用范围。
- 方凯
- 关键词：集成运放集成运算放大器工作温度范围失调电压
- 双栅MOS场效应晶体管的短沟道效应
- 1989年
- 一引言早在1965年就由Ditrick,Mitchell和Dawson等人研制出世界上第一批具有实际应用价值的双栅MOS四极管,也称双栅MOS场效应晶体管,它具有频率高、噪声低、增益可控和工作稳定等特点。关于DG—MOSFET′S在我国正处于开发和研制阶段,笔者虽早已做出管芯并已发了有关文章。但对它的特性和应用还有待进一步深入研究,特别是对它的阈电压和击穿电压等随沟道长度的缩短而降低。这种现象和本质,即所谓短沟道效应,要进行深入研讨,以进一步扩大其应用领域。二短沟道效应 DG—MOSFET′S同SG-MOSFET′S一样,为了提高频率和开关特性,除增大g_(ms)/c_(gs)的比值、减小寄生电容c_(ps)等外,最有效的办法就是减小沟道长度L_1和L_2.当L_1和L_2减小到可以同它的源漏耗尽层厚度相比拟时,也会出现所谓短沟道效应(SCE),即阈电压V_(th)
- 方凯
- 关键词：MOS场效应晶体管短沟道效应
- 硅双栅MOS场效应晶体管的频率和增益特性
- 1987年
- 本文是通过硅双栅MOS场效应晶体管(简写为DG-MOSFET'S)的等效电路,系统的推导出DG-MOSFET'S的最高工作频率和增益与结构和工艺参数的定量关系式,指出提高频率和增益的具体办法。并充分说明DG-MOSFET'S比硅单栅MOS场效应晶体管(简写为SG-MOSFET'S)的性能更为优越,而应用更加广泛。
- 方凯
- 关键词：MOS增益特性沟道长度寄生电容反向偏压电子迁移率
- 一种新型有源温度补偿硅压力传感器
- 1991年
- 本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系,来代换扩散硅压力传感器中利用扩散电阻进行温度补偿的原理和优越性。
- 方凯王荣
- 关键词：传感器温度补偿压力传感器硅
