曹阳
- 作品数：16 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京化工大学更多>>
- 发文基金：北京市教育委员会科技发展计划更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜及其性能的研究被引量：1
- 2012年
- 以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、UV-Vis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有较高的吸收,可以获得较好的光电流。应用超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜的优化条件为:基板温度为300℃,络合剂比例为1∶2,酸度为9,喷雾速度为0.3mL/min,退火温度为350℃。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段,克服其雾化不均问题。
- 张志乾武光明高德文朱艳英曹阳周洋
- 关键词：CDSE薄膜超声波光电性能
- 基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法
- 基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法涉及高阻隔复合材料制备。其特征在于：a、采用共沉淀法在磁场作用下使Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>以磁性纳米棒的形式负载到二维纳米填料表面，然后用多...
- 贾晓龙尚庭华曹阳李文斌杨文刚杨小平
- 文献传递
- 喷雾热分解法制备ITO薄膜及其光电性能研究被引量：1
- 2012年
- 采用自制的喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备ITO薄膜，并对实验条件进行了正交设计，以考察制备ITO薄膜的优良条件，结果表明，影响ITO薄膜光电性能的主要因素是基板温度。制备ITO薄膜的优化条件为：基板温度300℃，载气气流速度1L·min^-1，退火温度540℃，溶液配比为铟锡比10：1，喷嘴与基板距离8cm，薄膜沉积时间3．5min，相应的透光率为97％，方块电阻3875Ω／。
- 周洋武光明高德文邢光建朱艳英张志乾曹阳
- 关键词：喷雾热分解ITO薄膜光电性能
- 过度自信市场中的公共信息披露研究
- 信息会影响股票定价，但投资者通常难以获取关于股价的全部信息，信息不对称问题便由此产生。信息不对称会使投资者做出错误的决策，从而导致市场效率低下。故我国股市在不断实践中逐步形成较为完备的强制性信息披露制度。然而我国上市公司...
- 曹阳
- 关键词：股票市场投资者过度自信
- 文献传递
- 一种取向碳纳米管薄膜的制备方法
- 一种取向碳纳米管薄膜的制备方法属于膜材料制备领域。其特征在于：A、采用带有磁性的多壁碳纳米管，该多壁碳纳米管的制备是先通过对羧基化多壁碳纳米管进行聚合物改性，再通过化学共沉淀的方法均匀负载了磁性粒子得到的；B、将A中得到...
- 贾晓龙徐先娟曹阳李武胜蔡晴杨小平
- 文献传递
- 一种具有荧光特性的磁性碳纳米管及其制备方法
- 一种具有荧光特性的磁性碳纳米管及其制备方法属于纳米材料制备领域，其特征在于：A、对原始碳纳米管进行硝酸酸化预处理和炭化预处理；B、利用加热回流和水热法，将磁性粒子均匀填充于A步骤得到的预处理碳纳米管内腔中，得到内填充磁性...
- 贾晓龙曹阳张文乔杨小平
- 文献传递
- PECVD法制备非晶硅薄膜及光电性能研究
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。
- 曹阳武光明高德文张志乾周洋
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜光电性能
- 双反应段蒸馏塔的动态特性与控制：进料分流的影响
- 反应蒸馏通过将反应操作和分离操作集成在一个处理单元中，使得系统具有更低的能耗，降低了经济成本，是一种极具潜力的化工过程强化技术。然而，常规的单反应段蒸馏塔并不总是适用于所有的反应物系。当产物为次重和次轻组分而反应物为最重...
- 曹阳
- 关键词：动态特性过程控制
- 一种取向碳纳米管薄膜的制备方法
- 一种取向碳纳米管薄膜的制备方法属于膜材料制备领域。其特征在于：A、采用带有磁性的多壁碳纳米管，该多壁碳纳米管的制备是先通过对羧基化多壁碳纳米管进行聚合物改性，再通过化学共沉淀的方法均匀负载了磁性粒子得到的；B、将A中得到...
- 贾晓龙徐先娟曹阳李武胜蔡晴杨小平
- 文献传递
- 化学超声水浴沉积法制备CdSe薄膜及其性能的研究
- 2012年
- 以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用化学超声水浴沉积法制备了CdSe薄膜,用XRD、UV-Vis、SEM等方法进行表征,结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有一定的吸收,可以获得较好的光电流。应用化学超声水浴沉积法制备CdSe薄膜的优化条件为：络合剂比例1：1.5、镉与硒浓度比例2.5：1、PH值10、沉积时间2.5h、退火温度350℃。
- 张志乾武光明高德文朱艳英曹阳周洋
- 关键词：CDSE薄膜超声波光电性能
