朱立
- 作品数：10 被引量：13H指数：3
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：核科学技术一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
- 涂硼电离室组合快中子探测器研制及其响应函数被引量：4
- 2014年
- 研制了涂硼电离室组合快中子探测器。用外径分别为55、80、130、220、285mm的5个高密度聚乙烯圆柱体作为快中子的慢化体包裹40mm×200mm的涂硼电离室,组合成一种可测量从热中子到十几MeV快中子的圆柱型Bonner探测器。借助Geant4蒙特卡罗方法模拟计算,给出了这种结构Bonner探测器探测系统的响应函数。将圆柱型Bonner探测器放置在标准中子源辐射场中进行了实验测量。在实际辐射场中,高密度聚乙烯圆柱体外径为220mm时,圆柱型Bonner探测器的灵敏度达8.702×10-15 A·cm2·s。同时对实验测量值与理论模拟结果进行了比较分析。结果表明,模拟结果与实验值在数据读取误差范围内吻合。
- 张紫霞魏志勇方美华朱立陈国云石苗
- 关键词：快中子响应函数GEANT4
- 一种无人机精确跟踪移动目标降落的动态制导方法
- 本发明涉及一种无人机精确跟踪移动目标降落的动态制导方法，包括：基于静态跟踪制导方法生成一条包括直线下滑段、圆弧段和浅下滑段的静止降落点制导轨迹线；在静止降落点制导轨迹线的基础之上，通过提前改变进入圆弧段开始点的高度生成动...
- 曹东李俊先朱立京湛
- 混合辐射场探测器研制与实验测试
- 在空间探测活动中，空间辐射环境是影响航天器可靠性、危及航天员健康的重要因素之一。空间辐射环境的探测与研究是空间科学技术研究的重要内容，并为载人航天事业的发展提供安全保障。空间中子辐射是空间环境的重要组成部分，本文针对中子...
- 朱立
- 关键词：探测器抗干扰能力中子能谱
- 浸酯涂硼——中子探测器灵敏层制作方法被引量：4
- 2013年
- 介绍了两种价廉、实用的中子探测器浸酯涂硼方法——浸没涂硼和手工刷涂,并给出涂抹细节。对不锈钢片的多次实验表明:浸没涂硼时脂硼比λ的最小值为5.0;手工刷涂时λ的最佳值为0.2,最佳方法是先在待涂面上滴混合液,再撒上硼粉刷涂。采用该方法研制一圆柱形硼衬正比计数管,用标准Am-Be中子源辐照测得了其输出脉冲;用不同厚度聚乙烯管包裹后测得了Am-Be源的中子谱。对中子谱参数的分析表明,两种硼膜制作过程简单、方法可行,为业内人员提供了很有意义的参考。
- 陈国云魏志勇黄福成辛勇朱立
- 关键词：中子
- 用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能被引量：1
- 2012年
- 近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一.研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得:当涂硼电离室的工作电压在700V以下时,漏电流小于1.0pA;用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V,坪斜为3.72×10^(-4) V^(-1);当涂硼电离室的工作电压为400V时,对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关,将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA.用^(137)Cs和^(90)Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为1.0-2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显.电离室中子探测灵敏度达1.0×10^(-15)Acm^2s量级,γ射线探测灵敏度达9.0×10^(-22)Acm^2s·eV^(-1)量级.这种涂硼电离室漏电流小、灵敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.
- 陈国云辛勇黄福成魏志勇雷升杰黄三玻朱立赵经武马加一
- 关键词：漏电流灵敏度
- 一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。中子探测器硼膜阴极，是一种具有良好电学性能和中子灵敏性能的探测器阴极。阴极采用导电金属Al基体，阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括：100份硼粉、15‑2...
- 魏志勇陈国云朱立方美华张紫霞雷胜杰
- 文献传递
- 用于n/γ混合场测量的涂硼电离室研制
- 2013年
- 研制了一种能同时测量混合场中γ和中子注量率的涂硼电离室,并实验测试了其性能。涂硼电离室由两个大小和结构一致的腔室组成:1个仅对γ灵敏,另1个对γ与中子均灵敏。用强度为2.7×107 s-1的Am-Be源测得电离室的中子灵敏度达9.2×10-16 A/(cm-2·s-1),在剂量率为5.24μGy/h的137 Csγ场中,电离室的γ灵敏度达7.36×10-16 A/(MeV·cm-2·s-1)。涂硼电离室I-V曲线坪长为600V,坪斜小于4%/100V,在工作电压为-400V时,其γ补偿修正系数<5%,可用于核设施周围的混合场监测。
- 朱立魏志勇陈国云雷升杰方美华贾文宝张紫霞府宇
- 关键词：中子灵敏度
- 新型涂硼正比计数器研制及其实验测试和模拟计算被引量：4
- 2015年
- 本文将^10 B粉与1,2-二氯乙烷溶剂、芳华树脂粘结剂混合研制了中子灵敏层^10 B膜,以此制作一新型涂硼正比计数器。为增加探测效率,除管内壁涂硼外,在管内增置了14片双面涂硼环氧薄片,并用^241 Am-Be源测试了其性能。活度为3.7×10^9 Bq的^241 Am-Be源实验表明：此新型涂硼正比计数器坪长约150V,坪斜为8.2%/100V（750-900V）;工作电压为800V时测得新型涂硼正比计数器的计数率为50s^-1,灵敏度为0.71cm^2。与管内壁仅涂硼的正比计数器相比,新型涂硼正比计数器中子灵敏面积增加到3.15倍后,探测器坪长从80 V增至150 V,坪斜从12.4%/100 V改进到7.58%/100V,灵敏度提高到2.63倍。同时,以基于蒙特卡罗方法的Geant4平台,模拟计算单能中子及^241 Am-Be源中子照射包裹高密度聚乙烯慢化材料的新型涂硼正比计数器的响应和探测效率。^241 AmBe源模拟结果和实验结果吻合较好。实验测试及模拟结果表明,涂硼技术与增加灵敏面积相结合的正比计数器的设计较成功。
- 张紫霞魏志勇朱立方美华陈国云强鹏
- 关键词：中子
- 辐射探测器定量涂硼技术被引量：1
- 2012年
- 报道了2种廉价实用的辐射探测器定量涂硼技术——浸没涂硼和手工刷涂,并给出了详细的涂抹细节。用不同厚度聚乙烯管包裹该方法研制的涂硼正比计数管,经标准Am-Be中子源辐照后测得了其对中子计数率的响应。浸没涂硼脂硼比λ最小值为5.0,手工刷涂λ最佳值为0.2;最佳方法是先在待涂面上滴混合液,再撒上硼粉刷涂。浸没涂硼对待涂面无限制,且硼膜均匀、牢固性都较好,但因λ较大而降低探测效率,且浸涂次数需实验和经验确定,还会造成浪费。手工刷涂克服了浸没涂硼的缺点,但对待涂表面形状有要求,且其硼膜的均匀、牢固性总体不如浸没涂硼。两种涂抹工艺操作简单、成本低廉,且能达到要求,可以在国内相关单位推广使用。
- 陈国云魏志勇黄福成辛勇朱立
- 关键词：中子
- 一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。中子探测器硼膜阴极，是一种具有良好电学性能和中子灵敏性能的探测器阴极。阴极采用导电金属Al基体，阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括：100份硼粉、15-2...
- 魏志勇陈国云朱立方美华张紫霞雷胜杰
- 文献传递
