李广
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：哈尔滨理工大学应用科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- 直流电场下无机纳米杂化PI薄膜击穿特性
- 邦(HN100和CR100)薄膜两面分别淀积厚度为20nm、直径为30mm的Au电极，采用阶梯式升压方式，对样品施加直流电场，直至样品被击穿.利用扫描电镜观察样品击穿孔区域微观结构，研究薄膜击穿机理和纳米颗粒的作用.实验...
- 殷景华卜文斌刘晓旭陈明华李广冯宇
- 关键词：直流电场击穿特性微观结构介电性能
- 稀土掺杂的钛酸钡高介电陶瓷材料的研究
- 路大勇孙秀云王严东李学翠杨雪王显德袁园孔德兵李广鲁东海
- 该成果系统地探索新型的稀土掺杂钛酸钡高介电陶瓷和变价Eu掺杂钛酸钡低温介电稳定陶瓷，强调提高稀土掺杂效率、高能量存储效率和抗老化性能，以发挥稀土的“现代化学工业维他命”的作用，扩展稀土产业链。 以冷压陶瓷技术作为合成与...
- 关键词：
- 关键词：钛酸钡介电稀土掺杂稀土介电陶瓷
- PI/AlN纳米复合薄膜结构与介电性能研究被引量：4
- 2011年
- 采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/氮化铝(PI/AlN)纳米复合薄膜,用小角散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)对薄膜进行表征,研究了不同纳米掺杂量对材料电阻率、介电常数(ε)和介质损耗因数(tanδ)的影响。结果表明,随着纳米AlN含量的增加,分形结构由质量分形转变为表面分形,当AlN含量为1%时,复合薄膜的介电常数达到最低值,电阻率提高了一个数量级;介质损耗在低频范围内明显增加;AlN的掺杂提高了纳米复合薄膜的绝缘性能。
- 李广殷景华刘晓旭冯宇田付强雷清泉
- 关键词：氮化铝小角散射体积电阻率
- 大型钛酸钡基高介电陶瓷制备和绝缘电阻评价
- 2009年
- 采用固相反应的冷压陶瓷制备工艺,制备出以钛酸钡为基的双稀土掺杂大型Φ60和小型Φ10陶瓷材料BPTC.通过XRD和介电温谱测试,研究了稀土元素在钛酸钡晶格双位并入、晶体结构和介电性能.采用静电计对稀土掺杂钛酸钡基大型陶瓷材料的体电阻率进行了研究测量,侧面反应出了小型陶瓷片的高绝缘性能.
- 袁园李广路大勇王学凤
- 关键词：钛酸钡XRD介电
