李清山
- 作品数：152 被引量：326H指数：8
- 供职机构：曲阜师范大学物理工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金山东省高等学校科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 应用L-MBE方法制备ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2010年
- 用激光分子束外延(Laser Molecular Beam Epitaxy,L-MBE)设备在p型Si(111)衬底上制备了不同衬底温度和不同氧压的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析,用He-Cd激光(325nm)激发的光致发光测试系统对薄膜进行了荧光光谱分析。研究发现,在衬底温度为400℃,氧压1Pa左右所制备的ZnO薄膜表面比较均匀致密,晶粒生长较充分,有较高的结晶质量和发光强度。ZnO薄膜的近带边发射与薄膜的结晶质量和化学配比均有关系。
- 张世玉李清山张立春李平马自侠张志峰
- 关键词：激光分子束外延ZNO薄膜结构特性光致发光
- Cu/PAA复合膜的偏振特性被引量：1
- 2007年
- 应用扩孔和增大阳极氧化电压的方法制备了不同孔径的多孔铝模板,并以交流电沉积法在该模板沉积铜纳米线.测量了铜/多孔铝复合膜的透射光谱和偏振光谱.实验表明,扩孔和增加阳极氧化电压都使样品的透射率下降,但扩孔不能提高它的偏振性能;提高模板氧化电压则可以提高样品的消光比,且消光比随纳米线直径的增加而增加.
- 张立春李清山郑萌萌吴福全
- 关键词：扩孔消光比
- ZnO/PS复合体系的白光发射及机制研究
- 利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷....
- 张世玉李清山李平马自侠
- 退火温度对PLD法制备ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜结构和发光性质的影响被引量：2
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,分别在450,500,550和600℃条件下进行退火,退火气氛为真空。利用X射线衍射(XRD)仪和荧光分光光度计研究了退火温度对薄膜结构和光致发光(PL)的影响。研究结果表明,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,Eu3+,Li+没有单独形成结晶的氧化物,均以离子形式掺入ZnO晶格中。PL谱中有较宽的ZnO基质缺陷发光,ZnO基质与稀土Eu3+之间存在能量传递,但没有有效的能量传递。随着退火温度的增加,薄膜发光先增强后减弱,退火温度为550℃时发光最强。当用395 nm的激发光激发样品时,仅观察到稀土Eu3+在594 nm附近的特征发光峰,但发光强度随退火温度变化不明显。
- 董艳锋李清山张立春宋连科
- 关键词：脉冲激光沉积
- 站在新起点,实现新发展,再攀新高峰——鲁东大学揭牌庆典寄语
- 2006年
- 刘建东李清山
- 关键词：全国人大常委
- 几种光学胶合剂透射光谱的测试研究被引量：3
- 2004年
- 给出了冷杉胶、甘油和加拿大树胶 3种光学胶合剂在 2 0 0～ 15 0 0 0nm光谱范围的透射光谱曲线 .由测试结果可知 :在 4 0 0～ 2 70 0nm的光谱范围 ,3种光学胶合剂都有比较高的透射比 ;在 2 0 0～ 4 0 0nm ,甘油的透射比最好 ;在波长大于 2 70 0nm的光谱区 。
- 王伟吴福全曹小龙李清山郝殿中
- 关键词：棱镜胶合剂透射光谱
- 铜/多孔铝纳米有序阵列的近红外偏振特性研究被引量：1
- 2006年
- 利用二次阳极氧化法在稀硫酸溶液中制备了不同孔径的多孔铝模板,并用交流电化学沉积的方法在多孔铝中合成了铜纳米线。测量了铜/多孔铝复合膜的透射光谱及偏振光谱。实验结果表明,这种含铜纳米线多孔铝膜微偏振器件在近红外光区有较好的透射率和消光比,且随着铜纳米线直径的增加,样品的透射率下降而其消光比却明显提高。通过分析得出,优化模板参数可制备出高效率的铜/多孔铝微偏振器。这种微偏振器件制备方法简单、效率高、造价低,在光电集成领域有着广泛的应用前景。
- 张立春李清山郑萌萌吴福全吕磊王彩凤齐红霞
- 关键词：多孔铝消光比透射率
- 氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动。随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小。
- 潘志峰袁一方李清山孔繁之张利宁
- 关键词：ZNO薄膜晶体结构导电性能
- 制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响被引量：1
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压（10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa）和生长衬底温度（250-600℃）下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光（PL）光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外（UV）发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级发射由辐射复合变为无辐射复合。
- 梁德春李清山张立春徐言东
- 关键词：脉冲激光沉积退火
- 多孔硅微秒光致发光衰减
- 1995年
- 在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减，研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系，发现衰减参数与发射波长有关，但不依赖于样品制备条件．用发光三层模型解释了实验结果．
- 李清山李鹏马王蓉方容川
- 关键词：多孔硅光致发光
