杨瑞东
- 作品数：22 被引量：22H指数：3
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省教育厅科学研究基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 溅射生长Ge/Si(100)_(2×1)薄膜的分子动力学研究
- 2007年
- 以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟。运用双体分布函数与原子直观构型及原子轨迹法对结果进行了分析讨论。模拟表明,以上3种因素对薄膜微结构都有一定影响,但基底温度的影响最重要;重构基底的二聚体键打开对实现锗外延生长很重要,而二聚体键断开过程主要发生在下一层锗入射阶段,因而下一层锗入射阶段是上一层锗外延晶化的关键阶段。
- 陈立桥周少白杨瑞东杨宇
- 关键词：硅锗分子动力学薄膜生长
- 离子束溅射Si／Ge多层膜的界面结构研究被引量：1
- 2007年
- 采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si／Ge多层膜样品。通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25的样品界面最平整。
- 陈寒娴杨瑞东邓荣斌秦芳王茺杨宇
- 关键词：离子束溅射
- 改性红外探测材料－非晶SiGe薄膜的制备方法
- 改性红外探测材料一非晶SiGe薄膜的制备方法。本发明属于红外热探测材料的制备方法，特别是对非晶SiGe合金薄膜优化、改性的方法。本发明包含以下两个重要步骤，即首先在超高真空状态下采用电子束蒸发镀膜方法制备α－SiGe薄膜...
- 杨宇王光科杨瑞东马铁英刘焕林陈刚
- 文献传递
- 薄膜生长的计算机模拟研究
- 薄膜材料不仅包含丰富的物理信息和物理理论基础,还在材料科学、电子技术、信息技术、生物技术等众多领域有着广泛的应用,是近年来迅速发展的研究方向之一.随着计算机技术的进步和对物质不同层次的结构及动态过程的理解的深入,利用计算...
- 杨瑞东
- 关键词：薄膜生长计算机模拟
- 文献传递
- Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究
- 2008年
- 对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响。分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变。获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数。
- 邓荣斌王茺陈寒娴杨瑞东秦芳肖军杨宇
- 关键词：退火微晶硅薄膜钽
- 重构表面上Si薄膜生长的模拟研究
- 建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足...
- 王全彪杨瑞东王茺杨宇
- 关键词：硅薄膜薄膜生长
- 文献传递
- 绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
- 2011年
- 对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数.同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
- 王茺杨宇杨瑞东李亮韦冬靳映霞Bao Ji-Ming
- 关键词：SOI结构
- Ge／Si纳米多层膜的光致发红光研究
- 2007年
- 采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。
- 杨瑞东陈寒娴邓荣斌孔令德陶东平王茺杨宇
- 关键词：PL谱
- 扩散过程对自组织生长量子点密度影响的模拟研究(英文)
- 2007年
- 考虑六方格子衬底上的沉积粒子扩散过程,本文利用Monte Carlo方法对自组织生长岛的面密度进行了研究。模拟得到了岛的生长形貌图,结果表明生长的岛数与扩散步数成反比且存在最大23%岛覆盖率,由岛的覆盖率可估算量子点分布的最大面密度.
- 杨瑞东王全彪宋超王茺杨宇
- 关键词：量子点扩散面密度蒙特卡罗方法
- 入射能量对薄膜生长影响的模拟研究
- 2007年
- 在考虑沉积原子入射能量影响的基础上，建立了Si（100）-（2×1）表面上Si薄膜生长的动力学蒙特卡罗模型，并对薄膜生长的初期过程进行了研究。结果表明：随着入射率的降低和温度的升高，不同入射能量对扩散距离影响的差异逐渐减小。在一定的入射能量和入射率下存在一最佳成岛温度，该温度随入射能量的增大而降低；随着入射率的降低，不同能量对最佳成岛温度影响的差异越小．
- 王全彪王茺杨瑞东杨宇
- 关键词：入射能量
