- Eu掺杂SiO_2纳米基质的发光特性被引量：8
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶,分别用光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、红外吸收(IR)谱等分析手段对样品进行了表征,研究了SiO2的基质中Eu3+、Eu2+的发光特性以及退火温度对发射光谱的影响,并对其发光机理进行了分析。结果表明,样品掺杂均匀,颗粒尺寸大约在50～80 nm,硼(B)离子进入SiO2网格,成为了基质的一部分,改变了基质的网络结构。当采用258 nm激发样品时,随着退火温度的升高,红光发射强度先增强后减弱。对于经800℃退火处理的样品红光发射最强,出现了576 nm(5D0→7F0),620 nm(5D0→7F2),658 nm(5D0→7F3)3条谱线,其中主峰位于620 nm红光发射,对应于Eu3+离子的5D0→7F2超灵敏跃迁,进一步说明B离子参与到基质中,形成了Si—O—B键,导致Eu3+离子所处配位环境的对称性降低,从而有利于Eu3+离子的特征发射;当采用271 nm激发样品时,随着退火温度的升高,蓝光发射强度先增强后减弱,经850℃退火的样品400～500 nm蓝光发射最强,归属于Eu2+的5d→4f的跃迁发射,证明在铝离子(Al3+)存在的情形下,在高温退火过程中Al3+部分取代Si4+形成AlO4-基团,掺杂Eu3+填补AlO4-基团附近的空位,增加了Eu3+周围的AlO4-四面体中氧原子的电子给予能力,使得Eu3+还原成Eu2+,从而得到了较强的蓝光发射。但是,当退火温度达到900℃时,由于稀土离子发生位置的迁移形成团簇红光和蓝光都明显地降低。
- 江东胡晓云张德恺马益平郑新亮张昕樊君
- 关键词：溶胶-凝胶法
- 稀土掺杂TiO<Sub>2</Sub>基质发光材料的制备方法
- 本发明公开了一种稀土掺杂TiO<Sub>2</Sub>基质发光材料的制备方法。该方法包括如下步骤：(1)将钛酸四正丁酯Ti(OBu)<Sub>4</Sub>溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与乙醇或丙醇的冰乙酸水溶液混合；...
- 胡晓云樊君刘国敬潘静江东
- 文献传递
- 稀土掺杂SiO<Sub>2</Sub>基质发光薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种稀土掺杂SiO<Sub>2</Sub>基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯Si(C<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>O)<Sub>4</Sub>溶于乙醇或丙醇中；(2)...
- 胡晓云樊君江东苗仲海潘静张德恺
- 文献传递
- 纳米SiO2基质中Eu^3＋的发光特性被引量：6
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了Eu^(3+)掺杂SiO_2基质发光材料,分别用荧光(PL)光谱、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征,研究了退火温度以及掺杂浓度对发射光潜的影响,并对其发光机制进行了分析。薄膜样品在258 nm光激发下,在620 nm,667 nm处出现了比较少见的双峰红光发射,而620 nm处的光发射最强,说明Eu^(3+)离子处在对称性较低的配位环境中。退火处理温度对样品的发射光谱影响很大,经900℃退火处理的样品发射强度最强。随着掺杂浓度的变化,改变了Eu^(3+)-O^(2-)间的距离,在相同紫外光激发下O^(2-)外层的电子迁移到Eu^(3+)4 f轨道上的能量变化,使得谱线位置出现了移动。
- 江东胡晓云苗仲海王永强潘静刘国敬
- 关键词：发光特性溶胶-凝胶法稀土SIO2
- 稀土掺杂TiO<Sub>2</Sub>基质发光材料的制备方法
- 本发明公开了一种稀土掺杂TiO<Sub>2</Sub>基质发光材料的制备方法。该方法包括如下步骤：(1)将钛酸四正丁酯Ti(OBu)<Sub>4</Sub>溶于乙醇或丙醇中；(2)上述溶液与乙醇或丙醇的冰乙酸水溶液混合；...
- 胡晓云樊君刘国敬潘静江东
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- 二氧化硅稀土发光材料的制备及性能研究
- 分别采用溶胶—凝胶法(sol—gel)和水热反应制备了掺杂Eu的SiO2干凝胶、发光薄膜，通过荧光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、红外吸收谱(IR)等现代分析手段对样品进行了...
- 江东
- 关键词：溶胶-凝胶法水热法稀土掺杂光致发光微观结构
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- 稀土掺杂SiO<Sub>2</Sub>基质发光薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种稀土掺杂SiO<Sub>2</Sub>基质发光薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯Si(C<Sub>2</Sub>H<Sub>5</Sub>O)<Sub>4</Sub>溶于乙醇或丙醇中；(2)...
- 胡晓云樊君江东苗仲海潘静张德恺
- 文献传递
