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GaN激子跃迁的时间分辨光谱学研究被引量：1: 1997年; 用时间分辨光谱学方法研究低压有机金属化学汽相沉积生长的ＧａＮ中自由、束缚激子（ＢＸ）的跃迁，讨论了这些跃迁的光致发光光谱、复合寿命及其与温度的关系，给出了中性施主束缚激子和自由激子（ＦＸ）的辐射复合寿命分别为０．１２ｎｓ和０．; 陈光德林景瑜江红星; 关键词：氮化镓半导体

AlGaN肖特基势垒二极管的研制被引量：1: 2004年; 为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.IV测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95V),理想因子为1.93.经300℃1min退火,该器件正、反向IV特性都得到明显改善.采用变温IV法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08eV,更适合在高压、大电流条件下工作.; 邵庆辉叶志镇黄靖云赵炳辉江红星林景瑜; 关键词：ALGAN 肖特基势垒二极管势垒高度

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江红星