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洪远志

作品数:23 被引量:25H指数:3
供职机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域:核科学技术一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇核科学技术
  • 7篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 7篇超高真空
  • 6篇加速器
  • 6篇二次电子
  • 4篇衍射
  • 4篇衍射极限
  • 4篇吸气剂
  • 4篇粒子加速器
  • 4篇溅射
  • 4篇法兰
  • 4篇TIZRV
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇液氦
  • 3篇真空
  • 3篇真空系统
  • 3篇同步辐射光源
  • 3篇无氧铜
  • 3篇光源
  • 3篇非蒸散型吸气...
  • 3篇

机构

  • 23篇中国科学技术...
  • 2篇安徽大学

作者

  • 23篇洪远志
  • 20篇范乐
  • 19篇王勇
  • 15篇尉伟
  • 9篇裴香涛
  • 8篇张波
  • 4篇张玉方
  • 4篇王建平
  • 3篇李为民
  • 3篇张善才
  • 3篇王洁
  • 2篇徐延辉
  • 1篇尚雷
  • 1篇潘海滨
  • 1篇闫文盛
  • 1篇王峰
  • 1篇王秋平
  • 1篇张宇心
  • 1篇胡飞

传媒

  • 8篇真空科学与技...
  • 4篇强激光与粒子...
  • 2篇真空
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇TFC‘20...

年份

  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2016
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
激活后的NEG薄膜在氖气保护下的应用研究
2023年
NEG薄膜目前已成为新一代同步辐射光源储存环真空室表面处理的主要手段,HALF光源拟采用镀Ti-Zr-V NEG薄膜的方式以满足储存环真空度的设计要求。在一些情况下,需要打开真空室以更换某些故障件或安装插入件等,这将使NEG薄膜暴露大气,严重损伤薄膜的吸气性能及使用寿命,此外也需要数周时间使真空度恢复到原有水平。因此采取向真空室充入Ne气的方法能在一定程度上保护激活后的NEG薄膜,从而避免再次激活薄膜以延长使用寿命和节省时间,另外进行了充入N_(2)的对比实验。结果表明,充入Ne气后,真空度恢复后能满足静态真空度的要求,无需激活,从而延长NEG薄膜的使用寿命并且节省时间。而充入N_(2)后,真空度恢复后达不到静态真空度的要求。但通过低温激活,NEG薄膜均能恢复一定活性并达到静态真空度要求。相对于N_(2),在Ne气保护作用下真空度恢复的更好。通过对残余气体的分析,发现低温激活前后Ne的含量均极低,对束流的稳定性不会产生影响,进一步证明了充入Ne气的可行性。
徐晓鹏马文静尉健亚葛晓琴范乐洪远志夏小维黄涛王思慧
关键词:HALF超高真空
合肥同步辐射光源直线加速器真空系统被引量:1
2014年
国家同步辐射实验室的合肥光源为了适应科学研究的发展,自2009年开始进行重大维修改造项目。新的合肥光源注入器要求工作在800 MeV,为满足注入器的性能提升,直线加速器的真空系统进行了重新设计及安装调试,指标达到设计要求,目前运行状态良好,为合肥光源的满能量模式调试提供必要的技术支持。
尉伟洪远志范乐张波裴香涛胡飞王勇
关键词:同步辐射光源直线加速器真空系统
TiZrV吸气剂薄膜的性能研究
采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,...
张波王勇尉伟范乐裴香涛洪远志王建平张玉方李为民
关键词:不锈钢管道直流磁控溅射吸气剂性能表征
文献传递
低温二次电子产额测试系统设计与研究被引量:1
2021年
在合肥先进光源(HALF)建设中,由低温超导材料组成的真空部件被大量使用,尤其是超导高频腔。超导腔以高加速梯度、低束流阻抗、高无载品质因数和低运行成本等特点,成为21世纪国际上拟建的大型加速器的首选。而超导腔和低温真空室内表面的二次电子发射可能会引发电子云(EC)现象。超剂量的二次电子倍增功率沉积会引起低温区域热负载增加、超导腔失超等现象,因此降低超导高频腔内二次电子发射成为合肥先进光源设计过程中的巨大挑战。在常温材料二次电子产额(SEY)测试系统的基础上,作者自主研发设计低温样品架结构,使液氦流经样品台并通过热传导冷却样品,计算漏热来反推所需要的制冷量和液氦的消耗速率。在系统集成调试后进行降温性能测试,搭建了低温材料二次电子测试系统。
方键威洪远志王一刚尉伟朱邦乐葛晓琴卞抱元张文丽王勇
关键词:液氦电子云二次电子
TiZrV吸气剂薄膜吸气性能的研究被引量:3
2012年
TiZrV合金在180℃下加热24 h即可激活,是迄今发现的激活温度最低的非蒸散型吸气剂,已在粒子加速器领域得到应用。采用直流磁控溅射法在不锈钢管道内壁获得了TiZrV薄膜,并研究了薄膜对CO和H2的吸气性能。在200℃下加热24 h后TiZrV对CO和H2的抽速分别为0.23和0.02 L.s-1.cm-2,吸气容量分别为6.8×10-5和6.6×10-2Pa.L.cm-2,且随着激活温度和时间的增加,吸气性能会有所提高。
张波尉伟范乐王建平裴香涛洪远志张玉方李为民王勇
关键词:非蒸散型吸气剂吸气性能粒子加速器
一种超高真空铜法兰密封型组件
本发明公开了一种超高真空铜法兰密封型组件,用于超高真空系统,该组件包含螺栓连接结构法兰组件以及快卸型连接结构法兰组件两种;螺栓连接结构法兰组件包括一对螺栓连接法兰、一个弹簧增强金属C形环以及数个螺栓紧固件;快卸型连接结构...
卞抱元王勇尉伟洪远志王思慧范乐朱邦乐方键威
文献传递
TiZrV吸气剂薄膜的性能研究被引量:2
2012年
采用独立设计组装的磁控溅射装置完成了对不锈钢管道的镀TiZrV薄膜处理。对TiZrV薄膜的相关性能包括二次电子产额(SEY)、光致解吸(PSD)产额和吸气性能进行了研究。在200℃下加热2h后TiZrV的SEY有所下降,峰值由2.03降到1.55。不锈钢真空室在镀TiZrV薄膜处理后其PSD效应显著降低,在200℃下加热24h后,各气体的PSD产额与初始值相比可降低两个量级左右。TiZrV薄膜对CO和H2有较好的吸气效果,相同激活条件下对CO的抽速比H2高一个量级,吸气容量则较之低两个量级;另外,随着加热温度的提高和时间的延长,其吸气能力会有所提高。
张波王勇尉伟范乐裴香涛洪远志王建平张玉方李为民
关键词:直流磁控溅射吸气性能
同步辐射光源光束线光学元件碳污染原位清洗研究被引量:1
2013年
通过采用射频等离子体对由于表面碳污染减少光通量的同步辐射光学元件进行原位清洗实验,利用质谱仪、X射线电子能谱对清洗过程以及表面变化进行监测,并对清洗过程截止点进行研究。结果表明射频等离子体清洗方法可有效去除严重影响光束线使用效率的碳污染,提高光束线使用效率;通过监测气体成分变化能为截止点判断提供有效依据。
尉伟张波洪远志裴香涛范乐王勇潘海滨闫文盛王峰王秋平
关键词:光学元件
用于粒子加速器真空结构材料的低温二次电子测试样品架
本发明涉及一种用于粒子加速器真空结构材料的低温二次电子测试样品架,包括:样品、样品座、样品底板、压片、绝缘垫、法拉第筒、螺钉、塞块、低温冷屏、螺栓、固定板、过渡管、陶瓷管和液氦输液管;本发明兼顾超高真空和二次电子测试的前...
方键威王勇洪远志尉伟朱邦乐王一刚卞抱元
文献传递
一种具有消除导线下垂功能的垂直阻抗测量装置
本发明提供一种具有消除导线下垂功能的垂直阻抗测量装置,包括一个阻抗测量系统和一个阻抗测量系统支撑架。所述阻抗测量系统包括一个上端阻抗匹配过渡段、一个下端阻抗匹配过渡段、一个待测件或比较件、一个中心测量导线、两个SMA连接...
卞抱元王勇洪远志范乐王思慧方键威张文丽
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