滑育楠
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
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- 镜像法在计算LDMOS热模型中的运用
- 2010年
- 计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的横向温度分布图。基于MATLAB编程计算,结果表明:镜像法简单实用且能更精确的计算出温度的梯度分布。此计算结果可用于开发精确的器件热模型。
- 杨烨滑育楠孙晓红张晓东高怀
- 关键词：横向扩散金属氧化物半导体镜像法MATLAB温度分布
- 一款新型基于推挽式结构的射频功率放大器
- 2010年
- 基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明:该功率放大器在700MHz～1100MHz的频率范围内,其增益为25dB,在1dB增益压缩点处,输出功率大于2W,功率附加效率为50%,OIP3大于44dBc。
- 牛旭滑育楠胡善文张晓东高怀孙晓红
- 关键词：功率放大器
- 一种能抑制HBT Kink效应的新型复合管
- 2010年
- 介绍了GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定。采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1-20 GHz（接近该HBT的截止频率）的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了Kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合。采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗。
- 滑育楠梁聪高怀杨立武李贯平
- 关键词：宽带匹配KINK效应S参数异质结双极晶体管
- 基于Volterra级数的HBT功率放大器负载阻抗的优化设计
- 2010年
- 利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2μmInGaP/GaAs HBT半导体工艺进行流片。测试结果表明,设计的功率放大器在不影响输出功率和功率附加效率的前提下,线性度得到较大改善,IP3提高6 dB,与理论分析及计算机仿真结果相吻合。
- 滑育楠梁聪张晓东高怀
- 关键词：功率放大器VOLTERRA级数负载阻抗INGAP/GAASHBT
- 基于Volterra级数的Cascode功率放大器的非线性分析
- 滑育楠
- 一种带功率检测和自适应偏置的CDMA功率放大器被引量：5
- 2011年
- 设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真,改善其线性度。采用2μm InGaP/GaAs HBT晶体管工艺成功流片,测试结果表明,与普通功率放大器相比较,当输出功率小于10 dBm时,新型功率放大器的集电极电流大幅降低,系统整体效率提高了2.2倍;1 dB增益压缩点由30 dBm增加到32 dBm;当输出功率为28 dBm时,ACPR和ALTR分别改善了5 dB和12 dB,IM3改善了11 dB。
- 梁聪滑育楠胡善文张晓东张海涛高怀
- 关键词：功率检测自适应偏置线性度
- 基于Volterra级数的Cascode功率放大器的非线性研究
- 自20世纪80年代以来,移动通信在全球范围内得到迅猛发展,它不仅改变了人们的通信方式,而且在某种程度上改变了人们的生活方式。然而在移动通信系统中,为了提高整个系统的效率,功率放大器经常工作在非线性区域,其非线性失真对无线...
- 滑育楠
- 关键词：无线通信系统
- 5～12GHz新型复合管宽带功率放大器设计被引量：2
- 2010年
- 利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号Kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11dB,带内波动<0.5dB,在9GHz工作频率时,其1dB压缩点处的输出功率为26dBm。
- 程华严唯敏滑育楠胡善文高怀
- 关键词：宽带匹配KINK效应GAASHBT复合晶体管
