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熊良钺: 作品数：51 被引量：108H指数：5; 供职机构：中国科学院国际材料物理中心更多>>; 发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金教育部基金更多>>; 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学电子电信更多>>

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合金元素Zr韧化不同计量比Ni_3Al合金的微观机制被引量：5: 2005年; 利用正电子湮没技术 (PAT)测量了不同化学计量比二元Ni3Al合金及不同Zr含量Ni3Al合金的正电子寿命谱 ,并估算了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度 .结果表明 ,二元Ni77Al2 3合金的基体和缺陷态的自由电子密度都比二元Ni74 Al2 6 合金的高 .Ni3Al合金晶界缺陷处开空间大于Ni空位或Al空位的开空间 ,晶界缺陷处的自由电子密度很低 ,金属键合力很弱 .过化学计量比Ni74 Al2 6 合金的晶界缺陷开空间比亚化学计量比Ni77Al2 3合金的大 ,晶界结合力更弱 .这是Ni74 Al2 6 合金更脆的原因 .在Ni3Al合金中加入Zr,增加了合金中的金属键成分 ,使基体中的自由电子密度增加 ,增强了基体金属键合力 ,同时降低了合金的有序度 ,使合金晶界容易弛豫 ,晶界缺陷的开空间变小 .另外 ,Zr原子偏聚到晶界 ,增加了晶界处的自由电子密度 ,同时引起晶界处Al贫化 ,减少了强共价性Ni—Al和Al—Al键 ,使晶界更易于变形 ,有利于提高合金的塑性 .; 郭建亭李玉芳熊良钺叶恒强; 关键词：镍铝合金有序度

用正电子湮没技术研究Zr和Nb在TiAl合金中的行为被引量：15: 2000年; 测量了TiAl,Ti50 Al4 8Zr2 和Ti50 Al4 8Nb2 的正电子寿命谱 ,并利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金基体的自由电子密度比金属Ti和金属Al基体的低 ,当Ti和Al组成TiAl合金时 ,Ti原子和Al原子的部分价电子被局域化 ,TiAl合金中金属键和共价键共存。TiAl合金晶界缺陷的开空间较大 ,晶界缺陷处的自由电子密度较低 ,金属键结合力较弱 ,材料易发生沿晶脆断。在TiAl合金中分别加入Nb和Zr元素 ,合金基体和晶界的自由电子密度升高。; 黄宇阳吴伟明邓文钟夏平熊良钺曹名洲龙期威; 关键词：TIAL合金正电子寿命锆铌

低频脉冲磁场方法处理铁基非晶合金的内耗研究: 利用低频脉冲磁场处理铁基非晶台金的方法得到综合性能更好的非晶-纳米晶混合合金,采用内耗测量方法研究了这种软磁性非晶-纳米晶混合合金的结构变化,并比较了不同处理时间样品的内耗变化,结果表明,经低频脉冲磁场处理后,在92℃附...; 王晓伟马继张莉熊良钺晁月盛王京阳; 关键词：铁基非晶合金内耗正电子寿命谱; 文献传递

工业纯α－Ti氢处理产生的微观缺陷及其作用被引量：1: 1995年; 用正电子湮没、ＴＥＭ和金相方法研究了不同程度氢处理的工业纯α－Ｔｉ产生的微观缺陷及其作用。实验结果表明：渗氢后材料内缺陷数量远大于除氢后材料内的缺陷数量，当渗氢量为０．５８％时，渗氢后材料内的缺陷主要是位错；随氢含量增加，单空位的数量也随之增加；当氢含量达２．１１％时，其缺陷主要是单空位，或者是其自由体积相当于单空位的点缺陷（如晶界、相界上存在的严重畸变区）。ＴＥＭ和金相观察表明，渗氢后位错存在于α－Ｔｉ基体中。除氢后晶粒明显细化。适当的渗氢量引进的微观缺陷，在除氢后可使晶粒细化而且等轴性高。; 康强赖祖涵张彩碚邓文熊良钺; 关键词：正电子湮没渗氢钛

用正电子湮没技术研究硼在Ni_3Al中的存在形式: 1992年; 本文用正电子湮没技术(PAT)研究了不同硼含量的单晶和多晶Ni_3Al中硼原子的存在形式。在Ni_3Al合金中加入少量硼(≤1.37％)时,一部分硼原子以间隙方式溶解到基体中,使晶格发生畸变,导致基体中正电子寿命(τ)增长;另一部分硼偏聚到空位型缺陷上,产生“填充效应”,导致平均寿命■和S参数下降。硼量为2.22at.-％时,缺陷态的τ显著增长,■和S参数增大,表明在晶界成晶内析出硼化物,诱发了较多的自由体积较大的缺陷。; 邓文熊良钺龙期威王淑荷郭建亭; 关键词：NI3AL 正电子湮没硼含量

NiAl超塑性变形的正电子寿命研究被引量：1: 2002年; 研究了B2型多晶NiAl的晶界结构对缺陷态正电子寿命的影响,并结合正电子谱探讨了热挤压及超塑性变形过程后的晶界结构.热挤压后的NiAl合金具有完全的再结晶组织,而超塑性变形过程中的动态回复和再结晶是一种不完全再结晶过程,所得到的晶界仍属于亚晶界或小角度晶界范畴,再结晶晶界在超塑性变形过程中不产生滑动.; 杜兴蒿郭建亭周彼德熊良钺; 关键词：NIAL合金超塑性变形正电子寿命晶界结构镍铝合金

氦在球磨贮氢合金中的存在行为研究被引量：7: 2003年; 通过正电子寿命测量及结构分析 ,研究了氦气氛球磨LaNi4 .75Al0 .2 5和Zr50 Co50 贮氢合金中氦的存在行为 .研究结果表明 :随着气氛压力增加 ,氦的溶入量增加 ,相对而言 ,LaNi4 .75Al0 .2 5更有利于氦的溶入 ;球磨样品正电子寿命的特征参数发生变化 ,这表明氦在材料中存在行为的差异 ;对于Zr50 Co50 合金 ,氦首先填充在超细晶粒的三叉晶界或空位团处 ,随着气氛压力增加 ,有小部分氦填入单空位的自由体积处 ,形成空位氦复合体 ;对于LaNi4 .75Al0 .2 5合金 ,氦首先进入单空位大小的自由体积中 ,形成空位氦复合体 .; 刘实郑华赵越熊良钺王隆保杨勋; 关键词：球磨正电子寿命贮氢合金

包含逃逸过程的正电子位错捕获模型: 1990年; 本文给出一个包含逃逸过程的正电子位错捕获模型,附带讨论割阶通过位错捕获正电子的温度依赖性,并找出正电子主要湮没在位错线上的起始温度.; 熊良钺龙期威; 关键词：逃逸正电子位错

低周疲劳对快凝Al-Fe-V-Si-Nd纳米合金微结构影响: 2002年; 采用透射电子显微镜和正电子湮灭技术研究了低周疲劳过程中快凝Al Fe V Si Nd合金微结构的变化 ,发现 :经高载荷循环后晶内固溶元素析出产生偏聚体 ,且随循环次数的增加 ,偏聚体长大 ;当循环次数达到 15 0 0次后 ,随循环次数的继续增加 ,大于临界尺寸的偏聚体长大而小于临界尺寸的偏聚体重新溶解·; 贾威钱存富曾梅光熊良钺; 关键词：快速凝固纳米合金正电子湮没微结构低周疲劳