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咪唑对钌化学机械抛光的影响被引量：2: 2013年; 利用自制的抛光液,研究了在磷酸体系抛光液中咪唑(imidazole,C3H4N2)浓度和pH值对钌的抛光速率的影响。采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了缓蚀剂咪唑对腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜(AFM)观察钌片表面的微观形貌。试验结果表明:金属钌在未加入咪唑的磷酸体系抛光液中,抛光速率最高为6.2nm/min,平均粗糙度(Ra)为10.7nm;而在抛光液中加入咪唑后,钌的抛光速率为3.9nm/min,平均粗糙度(Ra)降至1.0nm。咪唑的加入,虽然降低了金属钌的抛光速率,但提高了金属钌的表面质量。同时也促进了金属钌表面钝化膜的生成,降低了金属钌的腐蚀电流值,抑制了阴极反应。; 王婕储向峰董永平孙文起叶明富白林山; 关键词：钌咪唑化学机械抛光电化学检测

水杨酸体系抛光液中钌的化学机械抛光研究被引量：3: 2014年; 研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响。采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜观察钌表面的微观形貌。结果表明:水杨酸浓度的增加有利于金属钌表面钝化膜的形成,抛光速率值随之增加;随着H2O2浓度的不断增加,抛光速率不断增加,当H2O2质量分数大于3%时,抛光速率值随浓度的增加而降低。抛光后的金属钌表面平均粗糙度Ra为7.2 nm。; 王婕储向峰董永平白林山叶明富孙文起; 关键词：钌化学机械抛光水杨酸

过氧化氢抛光液体系中钌的化学机械抛光研究被引量：8: 2012年; 本文研究了过氧化氢(H2O2)抛光液体系中金属钌的化学机械抛光行为,采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了氧化剂和络合剂对腐蚀效果的影响,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌.结果表明:在过氧化氢抛光液体系中,金属钌表面钝化膜的致密度和厚度与醋酸(CH3COOH)和H2O2的浓度有关.抛光液中醋酸主要通过促进阳极反应的进行从而增强抛光液对金属钌的化学作用,CH3COOH作为络合剂比三乙醇胺(TEA)或酒石酸(C4H6O6)得到的抛光速率更高.低浓度H2O2通过增强抛光液对金属钌的化学腐蚀,抛光速率增大,较高浓度H2O2可能通过在金属表面形成较厚的氧化膜,抛光速率下降.XPS图谱说明钌片浸泡在含醋酸介质过氧化氢体系抛光液后,钌、氧原子相对含量之比约为2∶3,而且金属钌被氧化到四价和八价,这可能是因为金属钌表面生成RuO2和RuO4.抛光后的金属钌表面在5μm×5μm范围内平均粗糙度Sa由抛光前的33 nm降至6.99 nm.; 储向峰王婕董永平乔红斌张王兵; 关键词：钌化学机械抛光电化学检测过氧化氢络合剂

纳米氧化铈抛光液对钌的化学机械抛光被引量：1: 2013年; 采用液相沉淀法制备了纳米CeO2磨料,利用X射线衍射(XRD)表征其物相组成。通过纳米粒度仪研究了分散剂种类、热处理温度对CeO2磨料制备的悬浮液的粒径分布和Zeta电势的影响。用由CeO2磨料制备的抛光液对钌进行化学机械抛光,采用原子力显微镜观察钌片表面的微观形貌。结果表明:制备的粉体是具有立方萤石型结构的纳米CeO2,其晶粒尺寸随热处理温度的升高而增大;CeO2磨料在以六偏磷酸钠(SHMP)作为分散剂的悬浮液中分散效果最好;在抛光压力为6.9 kPa,抛光台转速为50 r/min,抛光液流量为50 mL/min,抛光液pH值为10.0,抛光液主要组成(质量分数)为1%CeO2,1%(NH4)2S2O8,0.01%SHMP的条件下,钌的抛光速率达到9.0 nm/min,表面粗糙度Ra值为2.2 nm。; 王婕储向峰董永平张王兵孙文起; 关键词：CEO2 钌化学机械抛光分散剂

用于自助金融设备的封闭式隐私保护装置: 本实用新型提供用于自助金融设备的封闭式隐私保护装置，涉及金融设备保护技术领域；以解决现有的自助金融设备的封闭式隐私保护装置，设备自身防护效果差，无法实现辅助催泪瓦斯释放，不具备独立的换气系统，使用舒适性以及瓦斯隔离效果差...; 王婕

金属钌的化学机械抛光研究: 金属钌（Ru）有可能作为集成电路中铜互连阻挡层新材料和动态随机存储器（DRAM）设备中的底电极材料，但是阻挡层和底电极的表面需要平坦化。目前化学机械抛光（CMP）技术可以实现全局平坦化，因此对钌的化学机械抛光研究具有重要...; 王婕; 关键词：化学机械抛光钌表面粗糙度电化学检测去除速率; 文献传递

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王婕