王建华
- 作品数：19 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 双异质外延SOI材料及制备方法
- 一种双异质外延SOI材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延SOI材料...
- 王启元王俊王建华
- 文献传递
- NTD氢区熔单晶硅退火行为研究
- 本文对NTD单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用HALL电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律;利用红外吸收技术测量了不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证...
- 王启元林兰英王建华邓惠芳蔡田海郁元桓
- 关键词：单晶硅辐照缺陷退火
- 文献传递
- 热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进被引量：3
- 2002年
- 采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结果表明 ,通过在 O2 常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2 O3 外延层的残余热应力及孪晶缺陷 ,改善外延层的晶体质量 ,同时可以提高 MOS电容的抗击穿能力 。
- 谭利文王俊王启元郁元桓刘忠立邓惠芳王建华林兰英
- 关键词：热退火SOIMOCVD
- 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用被引量：2
- 2002年
- 对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度 。
- 王启元林兰英王建华邓惠芳谭利文王俊蔡田海郁元桓
- 关键词：中子辐照退火辐照缺陷单晶硅氢
- 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法
- 一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧...
- 王启元王俊王建华
- 文献传递
- SOI结构γ-Al2O3/Si界面处碳、氧沾污处理和俄歇分析
- 本文主要讨论了在γ-Al<,2>O<,3>结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.
- 王俊谭利文邓惠芳王建华王启元
- 关键词：SOI材料俄歇分析
- 文献传递
- Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
- 该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧...
- 王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
- 关键词：氧沉淀
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- Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片增强氧沉淀
- 报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅补底片，明显增加了氧沉淀...
- 王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德
- 关键词：氧沉淀
- CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量：2
- 2001年
- 报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
- 王启元林兰英何自强龚义元蔡田海郁元桓何龙珠高秀峰王建华邓惠芳
- 关键词：硅CMOS集成电路
- 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法
- 一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧...
- 王启元王俊王建华
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