王浪平
- 作品数：134 被引量：237H指数：9
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术机械工程更多>>
- 绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究被引量：20
- 2002年
- 采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管(IGBT)串联,对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究;通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下,串联IGBT开关工作性能稳定,重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约1 64μs、峰值电压1.8kV的输出。
- 甘孔银汤宝寅王小峰王浪平王松雁朱剑豪武洪臣
- 关键词：IGBT固体开关绝缘栅双极晶体管加速器
- 金属等离子体浸没离子注入与沉积技术合成类金刚石薄膜研究被引量：6
- 2004年
- 采用金属等离子体浸没离子注入与沉积技术在 9Cr18轴承钢基体表面合成了类金刚石薄膜。研究了注入脉宽和工作气压对合成薄膜性能及化学组成的影响 ;通过激光Raman光谱、维氏硬度、针盘试验和电化学腐蚀等测试手段分别表征了合成薄膜后试样表面的化学组成和微观结构、显微硬度、摩擦磨损性能和抗腐蚀性能。结果表明 :合成薄膜后 ,试样的显微硬度增大了 88 7% ,摩擦磨损和抗腐蚀性能也明显改善。
- 刘洪喜汤宝寅王浪平王小峰于永澔孙韬
- 关键词：等离子体浸没离子注入钢基体类金刚石薄膜RAMAN光谱
- 用于复杂形状精密机械零件表面强化处理的Model-3PⅢ装置
- 等离子体浸没离子注入(PIII)消除了一般束线离子注入(IBII)固有的直射性限制,特别适合于处理复杂形状零件.PIII通过等离子体渗氮、氮离子注入有效地增强了零件表面耐磨、抗腐性能.近几年来,我们针对初期PIII存在的...
- 汤宝寅王松雁王浪平王小峰甘孔银澎湃
- 关键词：等离子体浸没离子注入表面改性
- 文献传递
- 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理装置
- 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理装置。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工...
- 汤宝寅王浪平王小峰孙继武王松雁
- 文献传递
- 多阴极金属等离子体源的设计及应用
- 本研究设计了一种新型的多阴极弧等离子体源,该装置可装配四个放电参数独立可调的金属阴极。采用探针对等离子体的分布均匀性、磁导管偏压和约束磁场电流进行测试分析和优化。利用该装置制备了具有不同Si含量的多元TiAlSiN复合薄...
- 王浪平解志文王漫王小峰闫久春黄磊陆洋
- 关键词：均匀性
- 文献传递
- MePIIID技术对滚珠表面改性过程的数值模拟
- 本文采用Particle-in-cell(PIC)方法对轴承滚珠的离子注入过程进行了数值模拟,并对其表面的均匀性进行了研究,获得了注入剂量的分布曲线以及真空室的电势分布随时间的变化曲线.研究结果表明,金属等离子体密度分布...
- 汤宝寅于永澔王浪平甘孔银王小峰王宇航刘洪喜
- 关键词：PIC滚珠均匀性表面改性数值模拟
- 文献传递
- 钛铝金属-六方氮化硼陶瓷导电阴极材料的制备方法
- 钛铝金属-六方氮化硼陶瓷导电阴极材料的制备方法，它涉及一种阴极材料的制备方法。本发明为了解决现有采用陶瓷粉末制备的阴极导电性差的技术问题。本方法如下：将陶瓷相与金属相混合，倒入模具中，对模具进行加热处理，压制成形，得到金...
- 王浪平吕文泉王小峰
- 文献传递
- 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法
- 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，...
- 王浪平王小峰解志文
- 文献传递
- Particle-in-cell方法对金属等离子体运动的研究
- 本文用Particle-in-cell(PIC)方法建立了双等离子体沉积方法中非均匀金属等离子体运动过程的数值模型,研究了不同模拟时刻金属等离子体的密度和衬底上沉积粒子的均匀性分布,研究结果表明,金属等离子体密度分布在一...
- 王浪平甘孔银王小峰汤宝寅于永皓王宇航刘洪喜
- 关键词：均匀性数学模拟
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- 用于全方位离子注入的10kV固体脉冲调制器研制被引量：2
- 2003年
- 采用IGBT串联技术研制成功了用于全方位离子注入的10 kV固体脉冲调制器。试验表明:该固体脉冲调制器在纯阻性负载时最高输出电压为14 kV,最高输出脉冲电流为20 A,输出脉冲宽度可在2 ms和112 ms之间以1 ms步长变化、脉冲重复频率范围为1 Hz^4 kHz,短时间可以工作到8.6 kHz。但在等离子体负载时,由于输入电容的影响,下降时间比较长。
- 甘孔银汤宝寅王浪平王小峰王松雁武洪臣
- 关键词：全方位离子注入IGBT串联
