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王瑞忠

作品数：11 被引量：24H指数：3
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 9篇红外
  • 8篇探测器
  • 8篇红外探测
  • 8篇红外探测器
  • 5篇异质结
  • 4篇微结构
  • 3篇锗硅
  • 3篇锗硅合金
  • 3篇P-SI
  • 3篇XSI
  • 2篇微结构研究
  • 2篇光发射
  • 2篇半导体
  • 2篇SI
  • 2篇SI异质结
  • 2篇HIP
  • 2篇长波
  • 2篇P
  • 2篇X
  • 1篇单片

机构

  • 9篇清华大学
  • 5篇北京有色金属...
  • 5篇中国科学院
  • 2篇北京大学

作者

  • 11篇王瑞忠
  • 10篇钱佩信
  • 7篇陈培毅
  • 5篇周均铭
  • 5篇刘安生
  • 4篇罗广礼
  • 4篇邵贝羚
  • 4篇刘峥
  • 3篇安生
  • 3篇王敬
  • 2篇徐军
  • 2篇郑康立
  • 2篇张镭
  • 1篇杨景铭
  • 1篇李永康

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇电子学报
  • 2篇激光与红外
  • 1篇半导体技术
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1996
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
P^+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性被引量：2
1997年
本文对P+GexSi1-x／P－Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。
王瑞忠陈培毅钱佩信罗广礼张镭郑康立周均铭
关键词：红外探测器长波长HIP
用Raman光谱分析MBE生长GexSi1-x膜的组分及应变被引量：5
1997年
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃、１０ｓ），应变减小为原始膜的１／４～１／５。说明退火后膜几乎被完全弛豫，同时引入大量的穿通位错缺陷。用退火前后２０ｎｍ样品制作了ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结内光发射红外探测器件。在７７Ｋ下测量，退火前样品的异质结反向电阻达５００ｋΩ以上，而退火后样品只有１ｋΩ左右，根本无法在７７Ｋ下工作。我们提出的方法可以同时确定膜的Ｇｅ组分及膜内应力，方法是非破坏性的。
陈培毅王瑞忠杨景铭钱佩信
关键词：锗硅合金RAMAN光谱
P~＋－Ge_xSi_（1－x）／p－Si异质结内光发射长波红外探测器量子效率模型
1997年
本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）长波红外探测器量子效率的解析模型．与原有模型相比，其特点是考虑了载流子输运作用对量子效率的影响．理论计算与实际结果比较表明，该模型与现有模型相比能更好地与实际相符合．利用该模型可对ＧｅｘＳｉ１－ｘ层的最佳厚度进行估计，其结果与实验结果也是一致的．
王瑞忠陈培毅钱佩信罗广礼周均铭
关键词：长波红外探测器锗硅合金量子效率
红外探测器微结构的HREM观察被引量：1
1999年
采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术（ＨＲＥＭ）观察了Ｐ＋ －Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／Ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器的微结构．该器件光敏区是由３ 层Ｐ＋ －Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和２ 层ＵＤ－Ｓｉ（未掺杂硅）组成，Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５／ＵＤ－Ｓｉ层间界面不明锐，有一个由于Ｇｅ 原子不均匀扩散造成的过渡带．这个过渡带缓和了界面的失配应力，因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变．在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区，缺陷的主要类型为层错和微孪晶．层错在（１　１１）面上，而微孪晶的厚度约为２～４晶面间距，其孪晶面为（１　１１）．非晶ＳｉＯ２ 台阶上的Ｓｉ０．６５Ｇｅ０．３５和ＵＤ－Ｓｉ层由随机形核生长的多晶组成。
刘峥邵贝羚刘安生王敬王瑞忠钱佩信
关键词：红外探测器微结构HREM
一种改进的便于实现的红外焦平面阵列不均匀性校正算法被引量：9
1997年
本文提出了一种适合对光敏元的响应特性为非线性的红外焦平面阵列进行不均匀性校正的改进算法，与现有的算法相比，该法具有便于用软件和硬件实现的优点。同时，通过对改进前后的算法进行理论分析和软件模拟结果比较，证明二者的校正精度无本质差别，校正效果基本相同。
王瑞忠陈培毅钱佩信
关键词：不均匀性
P^+-Si_(1-x)Ge_x/p-Si红外探测器微结构的研究
1998年
随着遥感遥测科学技术的发展和军事上的需要，红外探测器及红外焦平阵列的应用日益迫切［１］。Ｐ＋－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器因其具有易和ＣＭＯＳ或ＣＣＤ读出电路实现单片集成，工艺简单，成本较低，可同时工作于３～５μｍ和８～１４μｍ...
刘安生邵贝羚安生刘峥徐军王瑞忠钱佩信
关键词：微结构异质结红外探测器
HIP红外探测器与MOS读出开关的单片集成
1999年
为了验证Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器同ＭＯＳ信号读出电路单片集成的可行性，对Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）红外深测器与ＣＭＯＳ读出电路的工艺兼容性做了分析，提出了一个可行的工艺方案。还采用３μｍＮＭＯＳ工艺，制备了将Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器与ＮＭＯＳ信号读出开关集成在一起的实验性芯片。在７７Ｋ温度下，分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器（无介质腔和抗反射层）的黑体探测度Ｄ＊（５００，１０００，１）为１１Ｍｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ。实现了７７Ｋ下用ＮＭＯＳ开关对探测器输出信号的选择读出。
王瑞忠陈培毅钱佩信李永康周均铭
关键词：锗硅合金红外探测器单片集成
P^＋—Ge0.3Si0.7／P—Si异质结内光发射红外探测器77K的特性
1996年
首次报导了一种改进结构的Ｐ＋—Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｐ—Ｓｉ异质结内光发射长波长红外探测器在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。
王瑞忠陈培毅钱佩信罗广礼张镭郑康立周均铭
关键词：红外探测器光谱响应异质结光发射
二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用被引量：3
1998年
阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法，介绍了一种新的试样制备方法，讨论了各种制样方法的特点。以多层Ｐ＋Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐＳｉ异质结内光发射红外探测器为例，介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用。将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较，讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景。
刘安生邵贝羚安生王敬刘峥徐军王瑞忠王瑞忠
关键词：二次电子半导体电子显微术微结构
层叠结构的Si_(0.65)Ge_(0.35)/Si红外探测器的微结构研究
1999年
采用定位的横断面透射电子显微术观察了P+Si065Ge035/pSi异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区由6层p+Si065Ge035和5层UDSi层组成,每层都比较平整,各层厚度分别为6nm和32nm.在Si065Ge035/UDSi界面处存在应力场,但未观察到晶体缺陷.非晶SiO2台阶上的Si065Ge035和UDSi层是波浪状的多晶层.光敏区的边界处存在小于120nm宽的缺陷区。
刘安生邵贝羚安生刘峥王敬王瑞忠钱佩信
关键词：红外探测器异质结半导体器件微结构
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