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王瑞斌

作品数:9 被引量:3H指数:1
供职机构:北京理工大学更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺机械工程电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硅
  • 3篇电路
  • 3篇调频
  • 3篇调制
  • 3篇调制电路
  • 3篇陶瓷
  • 3篇涂层
  • 3篇连续波
  • 3篇连续波激光
  • 2篇氮化硅陶瓷
  • 2篇氮化硅陶瓷材...
  • 2篇刀具
  • 2篇等静压
  • 2篇低温低压
  • 2篇直流偏置
  • 2篇疏水涂层
  • 2篇疏水涂料
  • 2篇陶瓷材料

机构

  • 9篇北京理工大学

作者

  • 9篇王瑞斌
  • 4篇王西彬
  • 4篇周天丰
  • 3篇焦黎
  • 3篇梁志强
  • 3篇刘志兵
  • 3篇颜培
  • 2篇陈慧敏
  • 2篇李晓东
  • 2篇解丽静
  • 2篇邹美帅
  • 2篇苏醒
  • 1篇刘朋

传媒

  • 1篇工具技术

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2022
  • 1篇2012
  • 2篇2011
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种含氟嵌段共聚物及其制备方法
本发明涉及一种含氟嵌段共聚物及其制备方法,属于疏水涂层技术领域。该含氟嵌段共聚物分子式为A‑B‑A形式;其中,B为1,4‑二(2’,3’‑环氧丙基)全氟丁烷,A为聚丙二醇,聚丙二醇的分子量为400‑600g/mol。本发...
邹美帅王瑞斌苏醒李晓东
一种激光双重改性辅助微细切削加工工艺
本发明提供一种激光双重改性辅助微细切削加工工艺,涉及加工工艺技术领域,包括:步骤一、利用激光对待加工区域进行烧蚀改性并形成烧蚀层;步骤二、采用切削加工去除烧蚀层,完成待加工区域的粗加工;步骤三、采用连续性激光器辅助加热软...
赵斌张凌浩王瑞斌周天丰王西彬焦黎梁志强刘志兵颜培仇天阳刘朋
一种调频连续波激光调制电路
本发明涉及一种调频连续波激光调制电路,属于激光技术领域。包括直流偏置电路和半导体激光二极管激励电路;其中直流偏置电路包括电容C1~电容C10,电阻R1、R3、R4、R5,滑动电阻器R2、R6,运算放大器LF353和求和运...
陈慧敏王瑞斌
一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺
本发明公开了一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺,涉及氮化硅陶瓷材料制备工艺技术领域,包括以下步骤:步骤一,制备氮化硅复合粉体;步骤二,对氮化硅复合粉体进行冷等静压处理,获得氮化硅陶瓷毛坯;步骤三,对氮化硅陶瓷毛坯进...
赵斌王瑞斌王西彬周天丰焦黎解丽静刘志兵梁志强颜培仇天阳沈文华滕龙龙
一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺
本发明公开了一种高硬高韧氮化硅陶瓷复杂结构件制备工艺,涉及氮化硅陶瓷材料制备工艺技术领域,包括以下步骤:步骤一,制备氮化硅复合粉体;步骤二,对氮化硅复合粉体进行冷等静压处理,获得氮化硅陶瓷毛坯;步骤三,对氮化硅陶瓷毛坯进...
赵斌王瑞斌王西彬周天丰焦黎解丽静刘志兵梁志强颜培仇天阳沈文华滕龙龙
调频连续波激光调制电路的设计与实现
王瑞斌
关键词:调频连续波激光引信激光调制AD9958
预烧结氮化硅陶瓷坯体加工缺陷抑制与精密成形研究被引量:1
2022年
采用金刚石涂层刀具对预烧结氮化硅Si3N4陶瓷坯体进行干铣削加工,研究了切削参数对切削力的影响规律,探究了Si3N4陶瓷坯体加工表面崩边缺陷的形成机制与抑制方法,分析了金刚石涂层刀具的失效形式与磨损机理。试验结果表明:干铣削Si3N4陶瓷坯体时,进给方向的切削力随着进给速度的增加呈先下降后上升的趋势,在进给速度为50mm/min时,切削力取得最小值;陶瓷坯体断裂韧度较低是引起崩边缺陷的主要因素,通过降低进给速度能够抑制陶瓷坯体的崩边缺陷,由此确定最优的切削参数组合为主轴转速5000r/min,进给速度50mm/min,切削深度≤1.0mm;粉末状切屑形态降低了切屑与刀具前刀面之间的接触,因此金刚石涂层刀具的失效方式主要是后刀面磨损,磨损机制主要是塑性磨粒磨损。
王瑞斌王瑞斌王西彬沈文华周天丰周天丰
关键词:氮化硅干切削金刚石涂层
一种含氟嵌段共聚物的应用
本发明涉及一种含氟嵌段共聚物的应用,属于疏水涂层技术领域。该含氟嵌段共聚物分子式为A‑B‑A形式;其中,B为1,4‑二(2’,3’‑环氧丙基)全氟丁烷,A为聚丙二醇,聚丙二醇的分子量为400‑600g/mol。本发明的A...
邹美帅王瑞斌苏醒李晓东
一种调频连续波激光调制电路
本发明涉及一种调频连续波激光调制电路,属于激光技术领域。包括直流偏置电路和半导体激光二极管激励电路;其中直流偏置电路包括电容C1~电容C10,电阻R1、R3、R4、R5,滑动电阻器R2、R6,运算放大器LF353和求和运...
陈慧敏王瑞斌
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